SK Hynix анонсировала новое поколение 12-слойной скоростной памяти HBM4 и HBM3E

На конференции Nvidia GTC 2025 компания SK Hynix представила прототипы памяти HBM4, что усилило её позиции на рынке и создало дополнительные трудности для Samsung.

По имеющейся информации, SK Hynix уже удерживает лидерство в сегменте HBM3E, поставляя основную часть этих модулей для NVIDIA. В то же время Samsung до сих пор не смогла получить одобрение на свою версию HBM3E, что привело к финансовым потерям и заставило компанию сосредоточиться на разработке HBM4, чтобы избежать прежних неудач.

Помимо новых прототипов HBM4, SK Hynix также представила 12-слойные модули HBM3E, которые на данный момент являются наиболее технологически продвинутыми на рынке. Начало массового производства HBM4 намечено на вторую половину 2025 года, что может ещё больше укрепить позиции SK Hynix. Samsung, в свою очередь, ускорила подготовку к выпуску HBM4, рассчитывая завершить работы в первой половине года, что на шесть месяцев опережает ранее запланированные сроки.

Южнокорейская компания SK Hynix на саммите Flash Memory Summit 2024 представила новые решения для хранения данных, включая передовую универсальную флэш-память UFS 4.1 емкостью 512 ГБ и 1 ТБ, а также инновационную память ZUFS 4.0, предназначенную для улучшенной обработки приложений на основе искусственного интеллекта (ИИ).

Флэш-память UFS 4.1 создана на базе 321-слойной стековой флэш-памяти V9 с использованием технологии TLC NAND, обеспечивающей высокую скорость передачи данных до 2,4 Гбит/с. Также были представлены более ёмкие образцы V9 объемом 2 ТБ с технологией QLC, достигающие скорости 3,2 Гбит/с, и высокоскоростные версии V9H объемом 1 ТБ с показателем 3,6 Гбит/с. Эти решения обещают значительно повысить производительность хранения данных в смартфонах и других электронных устройствах.

Помимо этого, новый тип памяти ZUFS 4.0 (Zoned Universal Flash Storage) объёмом 512 ГБ и 1 ТБ отличается оптимизацией для приложений на основе ИИ, что увеличивает скорость работы операционной системы смартфонов. Память ZUFS 4.0 представляет собой усовершенствованную NAND-технологию, которая должна предложить более высокую производительность по сравнению со стандартной флэш-памятью UFS.

SK Hynix планирует внедрить новые чипы UFS 4.1 в будущие модели смартфонов, такие как Galaxy S25 Ultra, что может сделать их одними из самых мощных устройств на рынке в плане производительности и скорости работы.