Micron выпустила устойчивые к износу чипы памяти UFS 4.1 и UFS 3.1 для обработки задач ИИ

Micron представила первые в мире чипы памяти UFS 4.1 и UFS 3.1, созданные на основе архитектуры G9, способствующие расширению возможностей искусственного интеллекта на мобильных устройствах. Новые модели появятся во флагманских смартфонах после выхода оперативной памяти Micron 1y LPDDR5X, запланированной на начало 2026 года.

Чипы памяти, разработанные по технологическому процессу G9, отличаются улучшенной энергоэффективностью и повышенной скоростью чтения и записи. Они будут доступны в объемах от 256 ГБ до 1 ТБ и предназначены для ультратонких и гибких смартфонов.

Кроме аппаратных усовершенствований, Micron реализовала программные оптимизации для повышения производительности и улучшения работы ШИ-задач. Хранилища UFS 4.1 поддерживают технологию Zoned UFS, которая повышает эффективность операций чтения-записи и уменьшает эффект изнашивания ячеек памяти. Функция Data Defragmentation оптимизирует перемещение и дефрагментацию данных, увеличивая скорость на 60%.

Pinned WriteBooster ускоряет доступ к данным в буфере WriteBooster на 30%, что оказывает положительное влияние на быстродействие системы. Intelligent Latency Tracker анализирует задержки работы накопителя для улучшенной диагностики. Эта функция доступна и в UFS 3.1, в то время как другие программные улучшения остаются эксклюзивными для UFS 4.1.