Игра Diablo IV получила технологию трассировки лучей
27.03.24
Вышло новое обновление для игры Diablo IV, которое вводит технологию трассировки лучей, чтобы улучшить визуальный опыт игроков в мрачном мире Санктуария. Теперь игроки могут активировать отражения и тени с трассировкой лучей через два новых пункта в настройках игры.
Эти параметры придают более реалистичные отражения на водной поверхности и создают мягкие тени от всех источников света. Однако использование трассировки лучей может значительно снизить производительность игры. Пользователи видеокарт GeForce RTX 40-й серии могут воспользоваться технологией DLSS 3 для повышения кадров в секунду.
Согласно тестам, проведенным в разрешении 4K с трассировкой и DLSS 3, даже видеокарта GeForce RTX 4070 показывает хорошие результаты. Для старых видеокарт GeForce RTX доступно обычное масштабирование DLSS 2.
Чтобы обеспечить оптимальную производительность, компания Nvidia рекомендует обновить драйверы.
Не пропустите интересное!
Підписывайтесь на наши каналы и читайте анонсы хай-тек новостей, тестов и обзоров в удобном формате!
Обзор смартфона Oppo A6 Pro: амбициозный
0 
Новый смартфон Oppo A6 Pro — телефон среднего уровня с функциональностью смартфонов премиум-класса. Производитель наделил его множеством характеристик, присущих более дорогим телефонам. Но не обошлось и без компромиссов. Как именно сбалансирован Oppo A6 Pro – расскажем в обзоре.
Обзор ноутбука Acer Nitro Lite 16 (NL16-71G): универсальный и симпатичный
0 
Acer Nitro Lite 16 2025 модельного года получила интересный дизайн корпуса, геймерские акценты и проверенные компоненты. Расскажем про его возможности подробнее
Представлены смартфоны Nothing Phone (4a) и Nothing Phone (4a) Pro. Подробности смартфон события в мире
Nothing представила два новых смартфона среднего класса — Nothing Phone (4a) и Nothing Phone (4a) Pro.
Концепт суперкара Xiaomi Vision Gran Turismo показан на MWC 2026 MWC Xiaomi автомобиль концепт
Концепт суперкара Xiaomi Vision Gran Turismo построен на платформе с архитектурой 900V на основе карбида кремния (SiC)