SK Hynix анонсувала нове покоління 12-шарової швидкісної пам’яті HBM4 та HBM3E

На конференції Nvidia GTC 2025 компанія SK Hynix представила прототипи пам’яті HBM4, що посилило її позиції на ринку та створило додаткові труднощі для Samsung.

За наявною інформацією SK Hynix вже утримує лідерство в сегменті HBM3E, поставляючи основну частину цих модулів для NVIDIA. У той же час, Samsung досі не змогла отримати схвалення на свою версію HBM3E, що призвело до фінансових втрат і змусило компанію зосередитися на розробці HBM4, щоб уникнути колишніх невдач.

Крім нових прототипів HBM4, SK Hynix також представила 12-шарові модулі HBM3E, які на даний момент є найбільш технологічно сучасними на ринку. Початок масового виробництва HBM4 заплановано на другу половину 2025 року, що може ще більше зміцнити позиції SK Hynix. Samsung, у свою чергу, прискорила підготовку до випуску HBM4, розраховуючи завершити роботи у першій половині року, що на шість місяців випереджає раніше заплановані терміни.

Південнокорейська компанія SK Hynix на саміті Flash Memory Summit 2024 представила нові рішення для зберігання даних, включаючи передову універсальну флеш-пам’ять UFS 4.1 ємністю 512 ГБ і 1 ТБ, а також інноваційну пам’ять ZUFS 4.0, призначену для покращеної обробки додатків на основі мистецтв.

Флеш-пам’ять UFS 4.1 створена на базі 321-шарової флеш-пам’яті V9 з використанням технології TLC NAND, що забезпечує високу швидкість передачі даних до 2,4 Гбіт/с. Також були представлені більш ємні зразки V9 об’ємом 2 ТБ з технологією QLC, що досягають швидкості 3,2 Гбіт/с, та високошвидкісні версії V9H об’ємом 1 ТБ з показником 3,6 Гбіт/с. Ці рішення обіцяють значно підвищити продуктивність зберігання даних у смартфонах та інших електронних пристроях.

Крім цього, новий тип пам’яті ZUFS 4.0 (Zoned Universal Flash Storage) об’ємом 512 ГБ та 1 ТБ відрізняється оптимізацією для програм на основі ІІ, що збільшує швидкість роботи операційної системи смартфонів. Пам’ять ZUFS 4.0 є вдосконаленою NAND-технологією, яка повинна запропонувати більш високу продуктивність у порівнянні зі стандартною флеш-пам’яттю UFS.

SK Hynix планує впровадити нові чіпи UFS 4.1 у майбутні моделі смартфонів, такі як Galaxy S25 Ultra, що може зробити їх одними з найпотужніших пристроїв на ринку щодо продуктивності та швидкості роботи.