Toshiba представила первую память UFS 3.0 для смартфонов и VR-гарнитур
25.01.19
Toshiba представила первую в мире флеш-память с интерфейсом UFS 3.0. С шиной UFS 3.0 компания выпустила или готовится выпускать три однокорпусных продукта ёмкостью 128, 256 и 512 ГБ.
Все чипы набраны из кристаллов 96-слойной памяти 3D NAND (BiCS FLASH). В Toshiba ожидают, что новинки с шиной UFS 3.0 найдут применение в массе мобильных устройств, включая смартфоны, планшеты и гарнитуры виртуальной и дополненной реальности.
Теоретическая пропускная способность по одной линии для шины UFS 3.0 составляет 11,6 Гбит/с, что для двух стандартных линий интерфейса достигает общей пропускной способности 23,2 Гбит/с. Тем самым, если сравнивать с шиной UFS 2.0, устоявшиеся скорости чтения и записи выросли соответственно на 70 % и 80 %.
Размеры корпуса памяти Toshiab с шиной UFS 3.0 составляют 11,5 × 13 мм. Контроллер встроен в чип памяти и поддерживает все необходимые для работы NAND-флеш протоколы, включая коррекцию ошибок, выравнивание массивов данных, перевод логической адресации в физическую (к ячейкам), сокрытие битых ячеек.
Не пропустите интересное!
Підписывайтесь на наши каналы и читайте анонсы хай-тек новостей, тестов и обзоров в удобном формате!
Планшет Samsung Galaxy Tab S10 Ultra (SM-X926B): многое
0 
Новый планшет Samsung Galaxy Tab S10 Ultra получил большой 14,6”-экран, топовый процессор Mediatek Dimensity 9300 и стилус S Pen. Попробуем разобраться для чего такой девайс
Клавиатура Corsair K65 Plus и мышь M75 для Mac подключаются по Bluetooth и Corsair Slipstream Apple Corsair клавиатура мышка
Corsair утверждает, что клавиатура K65 Plus способна работать до 266 часов от одного заряда при отключённой подсветке
Google Drive теперь адаптирован для Windows на ПК с ARM-процессорами Google Windows
Google выпустила нативную бета-версию Google Drive для компьютеров с операционной системой Windows on ARM. Приложение предлагает те же функции, за исключением плагина Outlook Meet.