Toshiba представила первую память UFS 3.0 для смартфонов и VR-гарнитур
25.01.19
Toshiba представила первую в мире флеш-память с интерфейсом UFS 3.0. С шиной UFS 3.0 компания выпустила или готовится выпускать три однокорпусных продукта ёмкостью 128, 256 и 512 ГБ.
Все чипы набраны из кристаллов 96-слойной памяти 3D NAND (BiCS FLASH). В Toshiba ожидают, что новинки с шиной UFS 3.0 найдут применение в массе мобильных устройств, включая смартфоны, планшеты и гарнитуры виртуальной и дополненной реальности.
Теоретическая пропускная способность по одной линии для шины UFS 3.0 составляет 11,6 Гбит/с, что для двух стандартных линий интерфейса достигает общей пропускной способности 23,2 Гбит/с. Тем самым, если сравнивать с шиной UFS 2.0, устоявшиеся скорости чтения и записи выросли соответственно на 70 % и 80 %.
Размеры корпуса памяти Toshiab с шиной UFS 3.0 составляют 11,5 × 13 мм. Контроллер встроен в чип памяти и поддерживает все необходимые для работы NAND-флеш протоколы, включая коррекцию ошибок, выравнивание массивов данных, перевод логической адресации в физическую (к ячейкам), сокрытие битых ячеек.
вологість:
тиск:
вітер:
Наушники Sony WH-1000XM5: звук вне времени
Полноразмерные наушники Sony WH-1000XM5 уже достаточно долго присутствуют на рынке, но шума, простите, наделали не так много. Разберемся почему, ведь еще несколько лет назад серия Sony WH-1000XM была одной из самых популярных.
Смарт-телевизоры Redmi A размером 50, 55 и 65 дюймов адаптированы для игр
Redmi игры телевизорТВ Redmi A c экранами на 50, 55 и 65 дюймов получили 4K-панели с поддержкой частоты обновления от 60 Гц до 120 Гц.
Боты сгенерировали половину глобального интернет-трафика в 2023 году. Треть из них — для взлома
интернет исследования робот трафикВнедрение генеративного искусственного интеллекта и больших языковых моделей привело к росту количества простых ботов до 39,6% в 2023 году с 33,4% в 2022 году.