SK Hynix выпустила тестовые образцы памяти TLC 4D NAND с рекордным количеством слоёв

SK Hynix использует термин «4D NAND» осознанно, но предупреждает, что он призван отражать компоновочные преимущества по сравнению с 3D NAND. В третьем поколении такая память стала 176-слойной, и разработчики контроллеров уже получили образцы 512-гигабитных чипов. Массовое производство памяти 4D NAND нового поколения начнётся в середине следующего года.

Новая память обеспечивает прирост скорости передачи информации на операциях чтения на 20 %. В середине следующего года начнётся массовое производство 176-слойных чипов памяти типа TLC 4D NAND для мобильных устройств, предельная скорость чтения у них вырастет на 70 %, записи — на 35 %. В дальнейшем подобные микросхемы памяти найдут применение в твердотельных накопителях потребительского и корпоративного классов. Следующая цель SK Hynix — выпуск терабитных микросхем TLC 4D NAND с 176-слойной компоновкой.

Микросхемы TLC нового поколения сочетают технологию затвора с ловушкой заряда и компоновку с размещением периферийных цепей под массивом ячеек памяти. Впервые представленная в 2018 году в 96-слойном варианте, эта память в третьем поколении предлагает 176 слоёв. По словам SK Hynix, такая память обеспечивает самый высокий выход микросхем с одной кремниевой пластины, повышая удельную эффективность производства на 35 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. Себестоимость производства памяти тоже снижается, что обеспечивает корейской компании преимущество по сравнению с конкурентами.