SK Hynix выпустила новое поколение памяти UFS 4.1 и ZUFS 4.0. Она оптимизирована для ИИ и будет использоваться в Galaxy S25

Южнокорейская компания SK Hynix на саммите Flash Memory Summit 2024 представила новые решения для хранения данных, включая передовую универсальную флэш-память UFS 4.1 емкостью 512 ГБ и 1 ТБ, а также инновационную память ZUFS 4.0, предназначенную для улучшенной обработки приложений на основе искусственного интеллекта (ИИ).

Флэш-память UFS 4.1 создана на базе 321-слойной стековой флэш-памяти V9 с использованием технологии TLC NAND, обеспечивающей высокую скорость передачи данных до 2,4 Гбит/с. Также были представлены более ёмкие образцы V9 объемом 2 ТБ с технологией QLC, достигающие скорости 3,2 Гбит/с, и высокоскоростные версии V9H объемом 1 ТБ с показателем 3,6 Гбит/с. Эти решения обещают значительно повысить производительность хранения данных в смартфонах и других электронных устройствах.

Помимо этого, новый тип памяти ZUFS 4.0 (Zoned Universal Flash Storage) объёмом 512 ГБ и 1 ТБ отличается оптимизацией для приложений на основе ИИ, что увеличивает скорость работы операционной системы смартфонов. Память ZUFS 4.0 представляет собой усовершенствованную NAND-технологию, которая должна предложить более высокую производительность по сравнению со стандартной флэш-памятью UFS.

SK Hynix планирует внедрить новые чипы UFS 4.1 в будущие модели смартфонов, такие как Galaxy S25 Ultra, что может сделать их одними из самых мощных устройств на рынке в плане производительности и скорости работы.