SK hynix готова выпускать 400-слойную память NAND уже в 2025 году

SK hynix активно работает над созданием 400-слойной флеш-памяти NAND с планами начать массовое производство до конца 2025 года. Компания намерена использовать технологию «гибридного соединения» (W2W) для достижения этой цели. В процессе разработки SK hynix изучает новые материалы и технологии для соединения отдельных пластин, включая полировку, травление, осаждение и электромонтаж.

Компания уже продемонстрировала 321-слойный образец NAND в августе 2023 года, и теперь нацелена на достижение плотности в 400 слоев. Использование гибридного соединения «пластина к пластине» позволяет избежать проблем, связанных с увеличением количества слоев, таких как повреждение периферийных устройств из-за высокой температуры и давления при укладке ячеек. Этот метод предусматривает создание ячеек и периферийных компонентов на отдельных пластинах перед их соединением, что обеспечивает стабильное увеличение количества слоев и защищает периферийные компоненты.

Разработка технологии и инфраструктуры для 400-слойной NAND должна быть завершена к концу следующего года. Внедрение гибридного соединения является ключевым шагом для SK hynix в решении технических проблем и увеличении плотности флеш-памяти.

Достижения других производителей полупроводников NAND:

• Samsung недавно начала массовое производство 290-слойной V-NAND и планирует достичь более 1000 слоев к 2030 году.
• Micron выпустила продукт с 276-слойной 3D NAND в июле 2024 года.
• Kioxia достигла 218 слоев в 2023 году и предполагает достичь 1000 слоев к 2027 году.

Эти достижения свидетельствуют о постоянном стремлении индустрии к увеличению плотности и производительности флеш-памяти NAND, что будет способствовать дальнейшему развитию технологий хранения данных.