Canon анонсировала CMOS-сенсор размером 250 МПикс
09.09.15Компания Canon объявила о разработке CMOS-сенсора формата APS-H (прибл. 29,2 x 20,2 мм) с разрешением 250 млн пикселей (19 580 x 12 600 точек). Установленный на камеру, он позволяет получать изображения, на которых можно различить надпись на борту самолета, находящегося на расстоянии 18 км от места съемки.

Прототип камеры, оборудованной новым CMOS-сенсором (на снимке с объективом EF 35 мм f/1.4 USM)
Камера, оборудованная 250-мегапиксельным CMOS-сенсором, может снимать видео в разрешении, приблизительно в 125 раз превышающем Full HD (1 920 x 1 080 пикселей), и приблизительно в 30 раз превышающим 4K (3 840 x 2 160 пикселей). Однако для этого камере, разумеется, понадобится соответствующая начинка для обработки.
Canon планирует использовать технологию в специализированных системах наблюдения и предотвращения преступлений, измерительных приборах ультравысокого разрешения и другом промышленном оборудовании, а также в производстве видео.
Не пропустите интересное!
Підписывайтесь на наши каналы и читайте анонсы хай-тек новостей, тестов и обзоров в удобном формате!
Обзор смартфона Oppo A6 Pro: амбициозный
Новый смартфон Oppo A6 Pro — телефон среднего уровня с функциональностью смартфонов премиум-класса. Производитель наделил его множеством характеристик, присущих более дорогим телефонам. Но не обошлось и без компромиссов. Как именно сбалансирован Oppo A6 Pro – расскажем в обзоре.
Обзор ноутбука Acer Nitro Lite 16 (NL16-71G): универсальный и симпатичный
Acer Nitro Lite 16 2025 модельного года получила интересный дизайн корпуса, геймерские акценты и проверенные компоненты. Расскажем про его возможности подробнее
Представлены смартфоны Nothing Phone (4a) и Nothing Phone (4a) Pro. Подробности смартфон события в мире
Nothing представила два новых смартфона среднего класса — Nothing Phone (4a) и Nothing Phone (4a) Pro.
Концепт суперкара Xiaomi Vision Gran Turismo показан на MWC 2026 MWC Xiaomi автомобиль концепт
Концепт суперкара Xiaomi Vision Gran Turismo построен на платформе с архитектурой 900V на основе карбида кремния (SiC)


