Samsung разработала графическую память GDDR6W. Удвоенная ёмкость и производительность в сравнении с GDDR6

Samsung сообщила о создании графической памяти нового типа GDDR6W. Основными сферами её применения называют высокопроизводительные графические решения и приложения виртуальной реальности.

Память Samsung GDDR6W основана на решениях Samsung GDDR6 (x32) и дополнена технологией Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), которая значительно увеличивает пропускную способность и ёмкость памяти при сохранении прежних размеров упаковки. Благодаря неизменной занимаемой площади новые микросхемы памяти можно легко использовать в тех же производственных процессах, которые клиенты использовали для памяти GDDR6.

Технология FOWLP предусматривает монтаж кристалла памяти непосредственно на кремниевой пластине, а не на печатной плате. При этом применяется технология RDL (Re-distribution layer), которая обеспечивает гораздо более тонкие схемы разводки. Кроме того, отсутствие печатной платы уменьшает толщину корпуса и улучшает рассеивание тепла. В результате Samsung смогла вдвое увеличить количество микросхем памяти в упаковке, удвоить ёмкость графической памяти DRAM – с 16 Гбит до 32 Гбит, а также удвоить пропускную способность и количество операций ввода-вывода – с 32 до 64. Другими словами, площадь, необходимая для памяти, была уменьшена на 50% по сравнению с предыдущими моделями.

Технология GDDR6W может поддерживать пропускную способность уровня HBM на системном уровне. Так, HBM2E обеспечивает скорость передачи данных 3,2 Гбит/с на контакт и имеет пропускную способность на системном уровне 1,6 ТБ/с. Для GDDR6W эти показатели составляют 22 Гбит/с на контакт и 1,4 ТБ/с на системном уровне на основе 512 контактов ввода-вывода.