SK Hynix начнёт выпускать оперативную память с применением 10-нм техпроцесса
23.10.19
В августе Micron сообщила о начале массового производства 16-гигабитных микросхем памяти типа DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса 10-нм класса. У Samsung подобная память выпускается в 8-гигабитных микросхемах. На этой неделе о преодолении технологического рубежа сообщили в компании SK Hynix.
Плотность размещения памяти на одной кремниевой пластине по сравнению с предыдущим поколением техпроцесса выросла на 27 %, и это положительно скажется на себестоимости такой памяти. SK Hynix подчёркивает, что для выпуска памяти по техпроцессу 1z нм не требуется литография со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV).
SK Hynix свою новую память готова поставлять со следующего года в ассортименте до DDR4-3200 включительно. Со временем на новую ступень литографии перейдут и микросхемы памяти LPDDR5 и HBM2E. По словам корейского производителя, LPDDR5 станет новым поколением памяти для применения в мобильных устройствах.
Не пропустите интересное!
Підписывайтесь на наши каналы и читайте анонсы хай-тек новостей, тестов и обзоров в удобном формате!
Обзор клавиатуры Logitech G PRO X TKL RAPID: тонкие настройки
0 
Новая клавиатура Logitech G PRO X TKL RAPID не просто предлагает фирменно высокое качество и механические переключатели. Она также позволяет менять некоторые параметры срабатывания кнопок. Расскажем подробнее
Видеокарту AMD Radeon RX 9070 представят 28 февраля AMD видеокарта события в мире
Компания AMD объявила о предстоящей презентации видеокарт нового поколения, созданных на базе архитектуры RDNA 4.
Хакеры из россии используют активатор Windows KMS для кражи персональных данных украинцев война хакер
Исследователи EclecticIQ обнаружили кибератаки, начавшиеся в конце 2023 года, которые связывают с группировкой Sandworm (APT44).