В августе Micron сообщила о начале массового производства 16-гигабитных микросхем памяти типа DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса 10-нм класса. У Samsung подобная память выпускается в 8-гигабитных микросхемах. На этой неделе о преодолении технологического рубежа сообщили в компании SK Hynix.

Плотность размещения памяти на одной кремниевой пластине по сравнению с предыдущим поколением техпроцесса выросла на 27 %, и это положительно скажется на себестоимости такой памяти. SK Hynix подчёркивает, что для выпуска памяти по техпроцессу 1z нм не требуется литография со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV).

SK Hynix свою новую память готова поставлять со следующего года в ассортименте до DDR4-3200 включительно. Со временем на новую ступень литографии перейдут и микросхемы памяти LPDDR5 и HBM2E. По словам корейского производителя, LPDDR5 станет новым поколением памяти для применения в мобильных устройствах.

Читайте также