SK Hynix начнёт выпускать оперативную память с применением 10-нм техпроцесса
23.10.19
В августе Micron сообщила о начале массового производства 16-гигабитных микросхем памяти типа DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса 10-нм класса. У Samsung подобная память выпускается в 8-гигабитных микросхемах. На этой неделе о преодолении технологического рубежа сообщили в компании SK Hynix.
Плотность размещения памяти на одной кремниевой пластине по сравнению с предыдущим поколением техпроцесса выросла на 27 %, и это положительно скажется на себестоимости такой памяти. SK Hynix подчёркивает, что для выпуска памяти по техпроцессу 1z нм не требуется литография со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV).
SK Hynix свою новую память готова поставлять со следующего года в ассортименте до DDR4-3200 включительно. Со временем на новую ступень литографии перейдут и микросхемы памяти LPDDR5 и HBM2E. По словам корейского производителя, LPDDR5 станет новым поколением памяти для применения в мобильных устройствах.
влажность:
давление:
ветер:
Обзор Wi-Fi маршрутизатора ASUS RT-AC58U: в достатке
30
0 
Рассмотрим свежую модель Wi-Fi-маршрутизатора ASUS RT-AC58U – довольно компактного устройства с поддержкой двух диапазонов беспроводной сети и принадлежащего к классу AC1200
Сервис YouTube отметил своё 15-летие: 5 интересных цифр
YouTube видео
Самый популярный в мире видеохостинг YouTube отмечает своё 15-летие. Он был запущен 14 февраля 2005 года
Sharp выпустила мобильный роутер с поддержкой сетей 5G и Wi-Fi 6
5G Sharp Wi-Fi роутер
Sharp выпустила мобильный маршрутизатор 5G Mobile Router, поддерживающий сотовую связь пятого поколения и работу в частотном диапазоне ниже 6 ГГц
Загрузка ...