Samsung планирует устанавливать камеру и датчики смартфонов под экран

Vivo fingerprint inscreen

 

На прошедшей выставке CES 2018 компания Vivo продемонстрировала прототип смартфона, у которого дактилоскопический сканер помещен за OLED-дисплей, а в Samsung хотят пойти ещё дальше и спрятать за экран все датчики и камеру.

 

Патент и техническую документацию об этом компания Samsung уже разместила. За экран могут быть перенесены датчики освещённости и приближения, а также динамик. Таким образом, станет возможным создание полностью безрамочных смартфонов без ущерба их функциональности.

 

 

Впрочем, нужно оговориться, что пока Samsung лишь патентует предложенное решение. Возможные сроки его практического внедрения не называются.


Не пропустите интересное!

Підписывайтесь на наши каналы и читайте анонсы хай-тек новостей, тестов и обзоров в удобном формате!

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *





Статьи & тестыArticles

Обзор смартфона Oppo A6 Pro: амбициозный Oppo A6 Pro (CPH2799)

Новый смартфон Oppo A6 Pro — телефон среднего уровня с функциональностью смартфонов премиум-класса. Производитель наделил его множеством характеристик, присущих более дорогим телефонам. Но не обошлось и без компромиссов. Как именно сбалансирован Oppo A6 Pro – расскажем в обзоре.


Обзор наушников Logitech G G325: надежно и надолго Logitech G G325

Logitech G выпустила новую игровую гарнитуру, предложившую хорошую эргономику, стабильное подключение и высокую автономность по вполне приемлемой цене. Расскажем о Logitech G G325 подробнее


НовостиNews
| 19.05
WordPress.com добавил помощника на базе ИИ для редактирования дизайна и контента   
WordPress

Платформа WordPress.com, принадлежащая компании Automattic, расширяет использование инструментов искусственного интеллекта

| 16.30
Новый смартфон Google Pixel 10a мало чем отличается от предшественника  
Google Pixel 10a

Google Pixel 10a оснащен 6,3-дюймовым Plastic OLED-дисплеем с частотой обновления 120 Гц, разрешением 2424×1080 пикселей и пиковой яркостью до 2000 нит