Micron и Intel представляют новую флеш-память 3D NAND

Micron Technology, Inc. и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти. Флеш-память – это способ хранения данных, который используется в самых легких ноутбуках, самых быстрых центрах обработки данных и практически в каждом сотовом телефоне, планшете и мобильном устройстве.

Новая технология 3D NAND, совместно разработанная Intel и Micron, с высочайшим уровнем точности размещает слои ячеек для создания решений хранения данных, которые будут иметь в три раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND. Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах, что дает возможность реализовать преимущества снижения расходов и энергопотребления и повышения производительности как для потребительских мобильных устройств, так и ресурсоемких корпоративных сред.

Планарная флеш-память NAND практически уже достигла максимальных возможностей для масштабирования, что создает значительные сложности для отрасли производства памяти. Технология 3D NAND позволит флеш-продукции развиваться в соответствии с законом Мура, что даст возможность на протяжении длительного времени увеличивать ее скорость работы, сокращать расходы и более широкого использовать флеш-память.

«Сотрудничество Micron и Intel позволило создать ведущую в отрасли твердотельную технологию хранения данных, которая обеспечивает высокую плотность размещения ячеек, высокую производительность и эффективность и значительно превосходит по рабочим характеристикам флеш-память, – сказал Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент по технологиям памяти компании Micron Technology. – Технология 3D NAND имеет большой потенциал для того, чтобы коренным образом изменить рынок памяти».

«Технологическое сотрудничество Intel и Micron отражает наше стремление предложить на рынке передовые технологии энергонезависимой памяти, – сказал Роб Крук (Rob Crooke), старший вице-президент и руководитель подразделения Non-Volatile Memory Solutions Group корпорации Intel. – Преимущества более высокой плотности и экономии, обеспечиваемые нашей новой технологией 3D NAND, ускорят внедрение твердотельных решений для хранения данных».

Инновационная архитектура технологического процесса

Одним из наиболее важных аспектов этой технологии является разработка принципиально новых ячеек памяти. Intel и Micron выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флеш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надежность.

Новая технология 3D NAND создает 32 слоя ячеек памяти, что позволяет обеспечить 256 Гб для типа MLC и 384 Гб для типа TLC. Увеличенная емкость дает возможность создаватьтвердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 ТБ для хранения данных и стандартные твердотельные накопители формата 2,5 дюйма, на которых можно хранить более 10 ТБ данных. Т. к. более высокая емкость обеспечивается за счет установки ячеек друг на друга, размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Предполагается, что это позволит увеличить производительность и срок службы и в будущем использовать технологию TLC в центрах обработки данных.

Основные характеристики продукции на базе технологии 3D NAND:

• Увеличенная емкость. В три раза более высокая емкость по сравнению с существующей технологией 3D – до 48 ГБ памяти NAND на кристалл – для реализации 75 % одного терабайта емкости в корпусе размером с палец.

• Более низкая стоимость на 1 ГБ. Первое поколение памяти 3D NAND спроектировано таким образом, чтобы обеспечить более высокую экономическую эффективность по сравнению с планарной памятью NAND.

• Высокая скорость работы. Большая пропускная способность для операций чтения/записи, высокая скорость операций ввода/вывода и высокая производительность при операциях чтения в произвольном режиме.

• Низкое энергопотребление. Новые режимы ожидания обеспечивают низкое энергопотребление за счет обесточивания неиспользуемых кристаллов памяти NAND (даже если другой кристалл в корпусе используется).

• Интеллектуальный дизайн. Инновационные функции снижают латентность и увеличивают срок службы по сравнению с предыдущими поколениями продукции, что значительно упрощает интеграцию.

MLC-версия (256 Гб) памяти 3D NAND уже поставляется отдельным партнерам в виде образцов, а тестовые поставки TLC-версии (384 Гб) начнутся уже весной. Пробные пуски производственной линии уже начались, серийное производство новой продукции запланировано на IV кв. этого года. Компании также разрабатывают собственные линии для производства твердотельной продукции на базе технологии 3D NAND. Предполагается, что эта продукция выйдет на рынок в следующем году.