Micron представила память HBM3 Gen2 с пропускной способностью 1,2 ТБ/сек. Она совместима с видеокартами и процессорами

Micron подготовила к выпуску быстрейшую память стандарта HBM3. Модули HBM3 Gen2 получили емкость 24 ГБ при рекордной пропускной способности 1,2 ТБ/с.

Новая память ориентирована на устройства для центров обработки данных, ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Максимальная производительность в новой памяти 9,2 ГТ/с (гигатрансфер в секунду) на контакт, что на 44% лучше стандартных решений HBM3. Благодаря этому, общая пропускная способность стека памяти составляет 1,2 ТБ/с (терабайт в секунду).

Система памяти с четырьмя банками HBM3 Gen2 и шиной 4096 бит может обеспечить пропускную способность 4,8 ТБ/с, а система с шестью модулями обеспечит 7,2 ТБ/с.

Для сравнения: пиковая пропускная способность памяти ускорителя Nvidia H100 SXM составляет 3,35 ТБ/с. Блоки памяти Micron HBM3 состоят из 8 слоев, в то время как SK Hynix предлагает 12-слойные модули HBM3E объемом 24 ГБ.

Новая память аппаратно совместима с GPU и CPU, рассчитанными на стандартную память HBM3. Поэтому проектировщики и изготовители смогут перевести свои устройства на новую память от Micron. Массовое производство памяти стартует в начале 2024г.

Micron уже производит разработку следующего типа памяти, который компания называет HBM Next (HBM4). Новая память будет объемом 64 ГБ и получит пропускную способность до 2 ТБ/сек.