Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5-7200 объёмом 512 ГБ

Samsung сообщила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5-7200 объёмом 512 ГБ. По словам южнокорейского производителя, новинка предлагает значительно более высокую производительность и скорость, а также вдвое больший объём по сравнению с памятью DDR4.

При производстве использовался восьмислойный стэк кристаллов DDR5, объединённых с помощью технологии 3D TSV (through-silicon via), характеризующейся сквозными соединениями между слоями в произвольной точке.  Высота готовой микросхемы в упаковке составляет всего 1 мм против 1,2 мм у DDR4. Используя новые технологии наложения слоёв компания смогла до 40 % сократить промежуток между кристаллами памяти, что и снизило высоту всего стэка.

В ходе презентации Samsung также сообщила, что применила при производстве модуля памяти DDR5-7200 технологию Same Bank Refresh. Её особенность в том, что пока одни банки памяти могут выполнять обновление, другие банки могут быть заняты какими-либо другими операциями. Кроме того, производитель отметил увеличение на 10 % производительности шины памяти и сообщил о поддержке дополнительных схем Decision Feedback Equalization (DFE), улучшающих качество сигналов — они снижают отражённые шумы в каналах памяти на высоких частотах, что довольно важно при использовании большого числа DIMM и каналов DDR5.

Новый модуль памяти DDR5-7200 работает при напряжении всего в 1,1 В, тогда как для DDR4 стандартное напряжение — 1,2 В. Повышение энергоэффективности памяти стало возможным за счёт использования на плате интегральных схем управления питанием (PMIC), стабилизатора напряжения, а также технологии затворов High-K Metal. Также отмечается, что память DDR5 поддерживает технологию коррекции ошибок On-Die Error Correction Code (ODECC).

Представленная Samsung память DDR5 будет предназначаться для дата-центров. Потребительские модули DDR5, скорее всего, будут обладать меньшим объёмом — до 64 ГБ на планку. Компания Samsung планирует начать массовое производство модулей памяти DDR5-7200 объёмом 512 ГБ к концу текущего года. Производитель считает, что массовый переход на новый стандарт ОЗУ случится не ранее 2023–2024 годов.