Micron и сингапурские учёные продолжат совместную разработку памяти STT-MRAM

Сингапурский институт A*STAR Data Storage Institute (DSI) официально сообщил, что между ним и американской компанией Micron Technology подписан договор, продлевающий совместные разработки памяти STT-MRAM. Первый договор о партнёрской работе над энергонезависимой памятью STT-MRAM сингапурские разработчики и Micron подписали три года назад — в 2011 году. Новый договор охватывает аналогичный отрезок времени и будет действовать до 2017 года.

На первом и уже завершившемся этапе DSI и Micron разработали базовые технологии, необходимые для создания памяти STT-MRAM с высокой плотностью записи. В настоящий момент низкая плотность записи — это один из главных недостатков магниторезистивной памяти с произвольным доступом. Например, один из ведущих поставщиков памяти STT-MRAM — компания Everspin — готова поставлять микросхемы STT-MRAM ёмкостью всего 64 Мбит, которые годятся разве что на создание энергонезависимого кеш-буфера, но ввиду малой ёмкости не подойдут для выпуска SSD.

Компания Micron и разработчики из DSI не говорят детально о достигнутых результатах, но на новом этапе собираются сосредоточиться на улучшении таких характеристик STT-MRAM, как снижение потребления в моменты переключения состояния ячейки (запись и стирание) и улучшение быстродействия. Можно рассчитывать, что с повышением плотности записи они уже разобрались.

В заключение напомним, что память STT-MRAM работает на принципе переноса спинового момента электрона (изменение магнитного поля частиц). Считается, что из всех перспективных и достаточно проработанных на сегодня альтернатив энергонезависимой памяти — RRAM, FeRAM и PRAM — память типа STT-MRAM окажется самой энергоэффективной. Она настолько эффективна, что компания Toshiba вознамерилась заменить в процессорах кеш-память SRAM на блоки STT-MRAM, для чего не боится внести существенные изменения в современную процессорную архитектуру.

Возвращаясь к компании Micron, отметим, к настоящему моменту она охватила едва ли не весь спектр перспективной энергонезависимой памяти. Американский производитель готовится в партнёрстве с компанией Sony выпускать память типа RRAM (хотя через покупку Elpida получил фирменные разработки RRAM этой японской компании), выпускает 128-Мбит микросхемы PRAM (с изменением фазового состояния вещества) и SoC со встроенными блоками PRAM, а также потенциально имеет доступ к разработкам FeRAM через приобретённые подконтрольные компании Elpida тайваньские компании Inotera Memories и Nanya Technology (бывшие активы Infineon). И хотя весь потенциал Micron после приобретения японской компании Elpida до сих пор не раскрыт, можно не сомневаться — он огромен. Но это уже другая история.

Источник: www.3dnews.ru