Toshiba показала твердотельные накопители NVMe SSD серии BG4
13.01.19
Toshiba представила на CES 2019 ультракомпактные твердотельные накопители NVMe SSD серии BG4.
В анонсированных решениях в одном корпусе объединены 96-слойная флеш-память BiCS FLASH 3D и контроллер. Заказчики смогут выбирать между двумя вариантами исполнения — BGA M.2 1620 (16 × 20 мм) и M.2 2230 (22 × 30 мм). В семейство Toshiba BG4 вошли накопители вместимостью 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ, а также 1 ТБ.
Накопители используют интерфейс NVMe PCIe 3.0 x4, что обеспечивает высокую производительность. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2250 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 1700 Мбайт/с.
Накопители могут выполнять до 380 тыс. операций ввода/вывода в секунду (IOPS) при произвольном чтении данных и до 190 тыс. при произвольной записи.
Не пропустите интересное!
Підписывайтесь на наши каналы и читайте анонсы хай-тек новостей, тестов и обзоров в удобном формате!
Обзор смартфона Oppo A6 Pro: амбициозный
Новый смартфон Oppo A6 Pro — телефон среднего уровня с функциональностью смартфонов премиум-класса. Производитель наделил его множеством характеристик, присущих более дорогим телефонам. Но не обошлось и без компромиссов. Как именно сбалансирован Oppo A6 Pro – расскажем в обзоре.
Топ новостей 2025 года сайта hi-tech.ua
Традиционно каждый год наша редакция подводит итоги. Лучшие устройства по версии редакции мы показали недавно. Теперь пришло время рассказать о топе новостей сайта hi-tech.ua в 2025 году.
Не только память. Блоки питания и системы охлаждения тоже подорожают бизнес комплектующие
Рынок компьютерных компонентов снова демонстрирует тенденцию к удорожанию. После повышения стоимости оперативной памяти, накопителей, процессоров и видеокарт под угрозой роста цен оказались и другие категории
Мир виртуальных развлечений: как создать атмосферу полного погружения в игру игры Попросили разместить
Современные видеоигры перестали быть просто развлечением на вечер. Это сложные интерактивные миры, требующие глубокого эмоционального и технического вовлечения


