Kioxia (ранееToshiba) и Western Digital объявили о разработке технологии 162-слойной флэш-памяти 3D NAND шестого поколения. Её создание названо «очередной вехой в 20-летнем партнерстве».

Флэш-память шестого поколения отличается новой архитектурой, позволившей на 10% повысить плотность массива ячеек в горизонтальной плоскости по сравнению с технологией пятого поколения.

В сочетании с 162 уровнями в вертикальном направлении это позволило уменьшить площадь кристалла при той же информационной ёмкости на 40% по сравнению со 112-слойной памятью, что привело к «оптимизации себестоимости».

Разработчики также применили размещение логической схемы под массивом ячеек и работу с четырьмя областями одновременно. В совокупности это обеспечит прирост производительности при записи почти в 2,4 раза и уменьшение задержки чтения на 10% по сравнению с предыдущим поколением. Производительность подсистемы ввода-вывода улучшена на 66%.

В целом новая технология флэш-памяти снижает стоимость в расчёте на бит и увеличивает информационную ёмкость в расчёте на пластину по сравнению с предыдущим поколением на 70%.

Когда начнётся серийный выпуск новой памяти, партнёры не уточняют.