Transcend представила новые карты памяти SD и microSD промышленного уровня
18.02.22
Transcend представила новые карты памяти SD и microSD промышленного уровня, выполненные на базе высококачественных микросхем памяти 3D NAND, MLC и SuperMLC.
Карты выдерживают от 3 до 100 тысяч циклов записи/стирания, не уступая по этому показателю устройствам на базе памяти типа SLC NAND.
Карты памяти Transcend SD и microSD соответствуют спецификациям SD Specification Version 6.1 и UHS-I, а также требованиям самого последнего стандарта производительности Application Performance Class 2 (A2), обеспечивая скорости чтения и записи до 100 МБ/с и до 85 МБ/с, соответственно.
Носители серии «T» и «М» могут использоваться при экстремальных температурах от -25° до 85°C, а карты памяти серии «I» проходят тестирование в широком диапазоне температур от -40°C до 85°C.
Кроме того, карты памяти являются влагозащищенными, ударостойкими и виброустойчивыми, а также защищены от рентгеновского излучения и статического электричества. Встроенные механизмы корректировки ошибок ECC позволяют исправлять большинство ошибок в файлах, обеспечивая возможность их считывания.
Промышленные карты памяти SD и microSD предлагаются в вариантах емкостью от 2 ГБ до 512 ГБ, и поставляются с трехлетней ограниченной гарантией.
Сравнительная таблица спецификаций SD карт памяти
| Модель | SDC460T | SDC410M | SDC220I |
| Тип памяти | WD BiCS5
3D NAND |
Samsung 14nm MLC NAND | WD 15nm SuperMLC |
| Емкость | 64-512 ГБ | 2-32 ГБ | 2-4 ГБ |
| Макс. скорость чтения/записи | 100/85 МБ/с | 95/30 МБ/с | 22/20 МБ/с |
| Speed Class | UHS-I U3 | UHS-I U1 | Class 10 |
| Video Speed Class | V30 | V10 | — |
| App Performance Class | А2 | А1 | — |
| Рабочая температура | -25°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
| Циклов записи/стирания | 3 тысячи | 3 тысячи | 30 тысяч |
| Ресурс TBW | 1 328 ТБ | 86 ТБ | 66 ТБ |
| ECC | LDPC ECC | BCH ECC | BCH ECC |
| Поддержка S.M.A.R.T. | Есть | Нет | Есть |
Сравнительная таблица спецификаций microSD карт памяти
| Модель | USD460T | USD450I | USD230I | USD410M | USD220I |
| Тип памяти | WD BiCS5
3D NAND |
WD BiCS4.5
3D NAND |
WD BiCS4/BiCS3
3D NAND (SLC-режим) |
Samsung 14nm
MLC NAND |
WD 15nm
SuperMLC |
| Емкость | 64-512 ГБ | 64-128 ГБ | 2-64 ГБ | 2-32 ГБ | 2-16 ГБ |
| Макс. скорость чтения/записи | 100/80 МБ/с | 100/85 МБ/с | 100/70 МБ/с | 95/50 МБ/с | 80/45 МБ/с |
| Speed Class | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U3 | UHS-I U1 |
| Video Speed Class | V30 | V30 | V30 | V10 | — |
| App Performance Class | А2 | А2 | А1 | А1 | — |
| Рабочая температура | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -25°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C |
| Циклов записи/стирания | 3 тысячи | 3 тысячи | 100 тысяч | 3 тысячи | 30 тысяч |
| Ресурс TBW | 663 ТБ | 332 ТБ | 5 800 ТБ | 86 ТБ | 300 ТБ |
| ECC | LDPC ECC | LDPC ECC | BCH ECC | BCH ECC | BCH ECC |
| Поддержка S.M.A.R.T. | Есть | Есть | Есть | Нет | Есть |
Не пропустите интересное!
Підписывайтесь на наши каналы и читайте анонсы хай-тек новостей, тестов и обзоров в удобном формате!
Обзор смартфона Oppo A6 Pro: амбициозный
0 
Новый смартфон Oppo A6 Pro — телефон среднего уровня с функциональностью смартфонов премиум-класса. Производитель наделил его множеством характеристик, присущих более дорогим телефонам. Но не обошлось и без компромиссов. Как именно сбалансирован Oppo A6 Pro – расскажем в обзоре.
Обзор смартфона Poco M8 Pro: можно позволить больше
0 
Poco M8 Pro 5G сразу бросается в глаза своим размером и стремлением производителя предложить больше, чем обычно ожидаешь от устройства этой ценовой категории. Он не совсем очередной «середнячок»
Мышка Razer Boomslang 20th Anniversary Edition дороже iPhone 17 Pro Max Razer мышка
Razer представила специальную лимитированную версию игровой мыши Boomslang 20th Anniversary Edition, приуроченную к 20-летию выхода первой модели бренда
Смартфоны Oppo A6 оснащены аккумулятором 7000 мАч с 1800 циклами зарядки. Цена — 6 000 грн Oppo смартфон
Компания Oppo официально представила на украинском рынке новую серию смартфонов Oppo A6, в которую вошли три модели: A6s, A6 и A6x. Основное внимание при разработке устройств было уделено автономности