Transcend представила новые карты памяти SD и microSD промышленного уровня

18.02.22

Transcend_PR_20220217_Embedded_cards

Transcend представила новые карты памяти SD и microSD промышленного уровня, выполненные на базе высококачественных микросхем памяти 3D NAND, MLC и SuperMLC.

Карты выдерживают от 3 до 100 тысяч циклов записи/стирания, не уступая по этому показателю устройствам на базе памяти типа SLC NAND.

Карты памяти Transcend SD и microSD соответствуют спецификациям SD Specification Version 6.1 и UHS-I, а также требованиям самого последнего стандарта производительности Application Performance Class 2 (A2), обеспечивая скорости чтения и записи до 100 МБ/с и до 85 МБ/с, соответственно.

Носители серии «T» и «М» могут использоваться при экстремальных температурах от -25° до 85°C, а карты памяти серии «I» проходят тестирование в широком диапазоне температур от -40°C до 85°C.

Кроме того, карты памяти являются влагозащищенными, ударостойкими и виброустойчивыми, а также защищены от рентгеновского излучения и статического электричества. Встроенные механизмы корректировки ошибок ECC позволяют исправлять большинство ошибок в файлах, обеспечивая возможность их считывания.

Промышленные карты памяти SD и microSD предлагаются в вариантах емкостью от 2 ГБ до 512 ГБ, и поставляются с трехлетней ограниченной гарантией.

Сравнительная таблица спецификаций SD карт памяти

Модель	SDC460T	SDC410M	SDC220I
Тип памяти	WD BiCS5 3D NAND	Samsung 14nm MLC NAND	WD 15nm SuperMLC
Емкость	64-512 ГБ	2-32 ГБ	2-4 ГБ
Макс. скорость чтения/записи	100/85 МБ/с	95/30 МБ/с	22/20 МБ/с
Speed Class	UHS-I U3	UHS-I U1	Class 10
Video Speed Class	V30	V10	—
App Performance Class	А2	А1	—
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C	-25°C ~ 85°C	-40°C ~ 85°C
Циклов записи/стирания	3 тысячи	3 тысячи	30 тысяч
Ресурс TBW	1 328 ТБ	86 ТБ	66 ТБ
ECC	LDPC ECC	BCH ECC	BCH ECC
Поддержка S.M.A.R.T.	Есть	Нет	Есть

Сравнительная таблица спецификаций microSD карт памяти

Модель	USD460T	USD450I	USD230I	USD410M	USD220I
Тип памяти	WD BiCS5 3D NAND	WD BiCS4.5 3D NAND	WD BiCS4/BiCS3 3D NAND (SLC-режим)	Samsung 14nm MLC NAND	WD 15nm SuperMLC
Емкость	64-512 ГБ	64-128 ГБ	2-64 ГБ	2-32 ГБ	2-16 ГБ
Макс. скорость чтения/записи	100/80 МБ/с	100/85 МБ/с	100/70 МБ/с	95/50 МБ/с	80/45 МБ/с
Speed Class	UHS-I U3	UHS-I U3	UHS-I U3	UHS-I U3	UHS-I U1
Video Speed Class	V30	V30	V30	V10	—
App Performance Class	А2	А2	А1	А1	—
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C	-40°C ~ 85°C	-40°C ~ 85°C	-25°C ~ 85°C	-40°C ~ 85°C
Циклов записи/стирания	3 тысячи	3 тысячи	100 тысяч	3 тысячи	30 тысяч
Ресурс TBW	663 ТБ	332 ТБ	5 800 ТБ	86 ТБ	300 ТБ
ECC	LDPC ECC	LDPC ECC	BCH ECC	BCH ECC	BCH ECC
Поддержка S.M.A.R.T.	Есть	Есть	Есть	Нет	Есть