Silicon Power представляет новый модуль памяти DDR4-2133 U-DIMM

Мировой лидер в производстве продуктов цифровой памяти, компания Silicon Power, представляет новейший модуль памяти DDR4-2133 U-DIMM, являющийся очередным шагом навстречу новому поколению продуктов DRAM. Модуль DDR4 подходит для использования в настольных ПК, поддерживает работу современных процессоров от Intel серии Haswell-E и предлагает отличную стабильность и высокую скорость операций, существенно увеличивая функциональность ПК и давая пользователю совершенно новый уровень сверхскоростного комфорта в работе со своим устройством.

Революция в производительности модулей памяти с наступлением эпохи DDR4

Индустрия модулей памяти поколения DDR4 находится в непрерывном развитии, прекрасно отражая постоянно растущие запросы пользователей к расширению границ функциональности своих ПК. Компания Silicon Power находится на самом переднем крае этой эволюции рынка, представив новый модуль памяти DDR4-2133 Unbuffered DIMM, отличающийся высокоскоростной производительностью и сниженным потреблением электроэнергии. В сочетании с новейшим процессором серии Haswell-E и поддержкой материнских плат на базе чипсета X99, позволяющих использование четырех каналов, модуль памяти DDR4 от компании Silicon Power доступен в вариантах вместимости 4 ГБ и 8 ГБ и предлагает максимальное усовершенствование емкости вашего компьютера до 64 ГБ. Модуль памяти DDR4 превосходит устройства категории DDR3-1600 частотой 2133 МГц и мощной пропускной способностью передачи данных 17 ГБ/с, дающей усовершенствование скоростных характеристик передачи данных на 33 %, что позволит любителям компьютерных развлечений, профессионалам, работающим с мультимедийными файлами и всем тем, кто увлекается самостоятельным сбором компьютеров наслаждаться максимальными скоростями работы с совершенно новым уровнем комфорта.

Низкое требуемое напряжение 12В для более эффективного энергосбережения

В дополнение к повышенной функциональности, модуль памяти DDR4 от компании Silicon Power отличается также и сниженным до 1,2 В расходом напряжения, что на 20% ниже DDR3, требующего 1,5 В, позволяя снизить электронагрузку и выделение тепла при работе. Меньший нагрев компонентов системы позволяет повысить стабильность работы модуля и продлить жизненный цикл вашего устройства, доводя эффект экологичного энергосбережения до максимума.

Модули памяти DDR4-2133 U-DIMM от компании Silicon Power выгодно отличаются от аналогов прекрасной производительностью, стабильностью в работе, низким расходом электричества и широким ассортиментом доступных комбинаций: одноканальный набор с емкостью 4 ГБ и 8 ГБ, двухканальный набор с емкостью 8 ГБ (4 ГБ*2) и 16 ГБ (8 ГБ*2) и четырехканальный набор с емкостью 16 ГБ (4 ГБ*4) и 32 ГБ (8 ГБ*4), которые подарят любителям компьютерного мастерства максимальную свободу выбора. В эпоху нынешних революционных изменений на компьютерном рынке, не пропустите совершенно новую возможность улучшения вашего устройства! Компания Silicon Power тщательно проверяет качество всех модулей DDR4-2133 U-DIMM на производстве и строго тестирует их перед отгрузкой, гарантируя их высочайшую стабильность и совместимость. На продукцию предоставляется пожизненная гарантия для уверенности пользователей в ее высочайшем качестве. Для более подробной информации, заходите на официальный сайт компании Silicon Power www.silicon-power.com.

Особенности продукта

• Высокая скорость и производительность с пропускной способностью передачи 17 ГБ/с
• Низкое требуемое напряжение 1,2 В для повышенной экономии электроэнергии
• Изготовлен с применением отборных компонентов высшего качества и тщательным контролем на производстве
• Прошел тестирование на 100%-ю стабильность и совместимость
• Пожизненная гарантия качества

Спецификации продукта

• Категория модуля: DDR4 Memory
• Коннектор и вид: 288-Pin UDIMM
• Частота: DDR4-2133 MHz
• Стандарт: Небуферизованный без ECC
• Емкость:

— Одноканальный 4 ГБ, 8 ГБ
— Двухканальный 8 ГБ (4 ГБ *2), 16 ГБ (8 ГБ *2)
— Четырехканальный 16 ГБ (4 ГБ *4), 32 ГБ (8 ГБ *4)

• Чип: 512M*8 (bit)
• Электрическое напряжение: 1,2 В
• CAS-латентность: 15