В Samsung начато массовое производство первых DRAM-чипов 10-нм класса

Методика 10-нанометрового класса предполагает нормы от 10 до 19 нанометров. По сравнению с аналогичными изделиями 20-нанометрового класса (от 20 до 29 нанометров) энергопотребление чипов может быть снижено на 10–20 %. К тому же число кристаллов на пластине увеличивается на 30 %, что позволяет снизить их себестоимость.

В настоящее время Samsung применяет технологию 10-нанометрового класса при производстве чипов DDR4 DRAM ёмкостью 8 Гбит. На их основе будут выпускаться энергоэффективные модули оперативной памяти, поддерживающие высокую скорость передачи информации (названа цифра в 3200 Мбит/с).

В дальнейшем, как ожидается, технология 10-нанометрового класса будет задействована при изготовлении модулей ОЗУ ёмкостью от 4 до 128 Гбайт. Они найдут применение в ноутбуках, настольных компьютерах, рабочих станциях, серверах и другом оборудовании, в том числе корпоративного класса.