В Samsung начато массовое производство первых DRAM-чипов 10-нм класса
05.04.16Компания Samsung Electronics первой в отрасли освоила массовый выпуск микрочипов DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM по технологии 10-нанометрового класса. Соответствующий анонс сделан сегодня, 5 апреля.
Методика 10-нанометрового класса предполагает нормы от 10 до 19 нанометров. По сравнению с аналогичными изделиями 20-нанометрового класса (от 20 до 29 нанометров) энергопотребление чипов может быть снижено на 10–20 %. К тому же число кристаллов на пластине увеличивается на 30 %, что позволяет снизить их себестоимость.
В настоящее время Samsung применяет технологию 10-нанометрового класса при производстве чипов DDR4 DRAM ёмкостью 8 Гбит. На их основе будут выпускаться энергоэффективные модули оперативной памяти, поддерживающие высокую скорость передачи информации (названа цифра в 3200 Мбит/с).
В дальнейшем, как ожидается, технология 10-нанометрового класса будет задействована при изготовлении модулей ОЗУ ёмкостью от 4 до 128 Гбайт. Они найдут применение в ноутбуках, настольных компьютерах, рабочих станциях, серверах и другом оборудовании, в том числе корпоративного класса.
вологість:
тиск:
вітер:
Достоинства материнских плат MSI
Сердцем компьютера считается процессор, однако без добротной материнки он теряет свою ценность. Системная плата выполняет объединяющую функцию и корректное функционирование основных компьютерных комплектующих и периферии
Qualcomm S3 Gen 3 и S5 Gen 3 — новые аудио-платформы для мобильных устройств
Qualcomm аудиоПлатформа Qualcomm S3 Gen 3 также предлагает инновации, ранее доступные только в устройствах премиум-класса, включая поддержку программы Qualcomm Voice & Music Extension
Смартфон OnePlus Ace 3V с OLED-дисплеем 120 Гц, чипом Snapdragon 7+ Gen 3, зарядкой 100 Вт стоит $277
Android OnePlus Qualcomm смартфонOnePlus Ace 3V работает на новом процессоре Qualcomm Snapdragon 7+ Gen 3, став первым смартфоном на рынке с таким чипсетом