Південнокорейська компанія SK Hynix на саміті Flash Memory Summit 2024 представила нові рішення для зберігання даних, включаючи передову універсальну флеш-пам’ять UFS 4.1 ємністю 512 ГБ і 1 ТБ, а також інноваційну пам’ять ZUFS 4.0, призначену для поліпшеної обробки програм на основі мистецтв. ).

Флеш-пам’ять UFS 4.1 створена на базі 321-шарової флеш-пам’яті V9 з використанням технології TLC NAND, що забезпечує високу швидкість передачі даних до 2,4 Гбіт/с. Також були представлені більш ємні зразки V9 об’ємом 2 ТБ з технологією QLC, що досягають швидкості 3,2 Гбіт/с, та високошвидкісні версії V9H об’ємом 1 ТБ з показником 3,6 Гбіт/с. Ці рішення обіцяють значно підвищити продуктивність зберігання даних у смартфонах та інших електронних пристроях.

Крім цього, новий тип пам’яті ZUFS 4.0 (Zoned Universal Flash Storage) об’ємом 512 ГБ та 1 ТБ відрізняється оптимізацією для програм на основі ШІ, що збільшує швидкість роботи операційної системи смартфонів. Пам’ять ZUFS 4.0 є вдосконаленою NAND-технологією, яка повинна запропонувати більш високу продуктивність у порівнянні зі стандартною флеш-пам’яттю UFS.

SK Hynix планує впровадити нові чіпи UFS 4.1 у майбутні моделі смартфонів, такі як Galaxy S25 Ultra, що може зробити їх одними з найпотужніших пристроїв на ринку щодо продуктивності та швидкості роботи.