SK Hynix выпустила 96-слойную флеш-память 4D NAND

Компания SK Hynix представила первую в мире 96-слойную флеш-память 4D NAND с плотностью кристалла 512 Гбит.

В данном случае под обозначением 4D NAND подразумевается, что в многослойной структуре размещены также периферийные цепи.

Заявляется, что SK Hynix впервые для индустрии удалось объединить технологию памяти с ловушкой заряда (CTF) с переносом периферийных цепей в многослойную структуру (PUC).

Если сравнивать с 72-слойной 512 Гбит 3D NAND, то площадь кристалла 96-слойной 512 Гбит 4D NAND уменьшилась на 30 %. Количество кристаллов на пластине увеличилось на 49 %.

Указанные особенности влияют на уменьшение себестоимости производства чипов, но производитель также заявляет о возросшей на 30 % производительности при операциях записи и увеличившейся на 25 % производительности при чтении.

Первая стадия серийного производства начнется уже в этом году.

Первым накопителем на базе такой памяти станет SSD-диск потребительского класса объемом 1 ТБ.

Во второй половине 2019 года будет представлен накопитель 4D NAND-накопитель корпоративного класса.

Также новая память может найти свое место в высокоскоростных накопителях для мобильных устройств UFS 3.0 в первой половине 2019 года.

Если резюмировать, то новая технология производства флеш-памяти позволит снизить затраты при производстве и повысить производительность накопителей.