SK hynix активно працює над створенням 400-шарової флеш-пам’яті NAND із планами розпочати масове виробництво до кінця 2025 року. Компанія має намір використати технологію “гібридного з’єднання” (W2W) для досягнення цієї мети. У процесі розробки SK hynix вивчає нові матеріали та технології для з’єднання окремих пластин, включаючи полірування, травлення, осадження та електромонтаж.

Компанія вже продемонструвала 321-шаровий зразок NAND у серпні 2023 року, і тепер націлена на досягнення щільності 400 шарів. Використання гібридного з’єднання “пластина до пластини” дозволяє уникнути проблем, пов’язаних зі збільшенням кількості шарів, таких як пошкодження периферійних пристроїв через високу температуру та тиск при укладанні осередків. Цей метод передбачає створення осередків та периферійних компонентів на окремих пластинах перед їх з’єднанням, що забезпечує стабільне збільшення кількості шарів та захищає периферійні компоненти.

Розробка технології та інфраструктури для 400-шарової NAND має бути завершена до кінця наступного року. Впровадження гібридного з’єднання є ключовим кроком для SK hynix у вирішенні технічних проблем та збільшення щільності флеш-пам’яті.

Досягнення інших виробників напівпровідників NAND:

• Samsung нещодавно розпочала масове виробництво 290-шарової V-NAND і планує досягти понад 1000 шарів до 2030 року.
• Micron випустила продукт із 276-шарової 3D NAND у липні 2024 року.
• Kioxia досягла 218 шарів у 2023 році і передбачає досягти 1000 шарів до 2027 року.

Ці досягнення свідчать про постійне прагнення індустрії до збільшення щільності та продуктивності флеш-пам’яті NAND, що сприятиме подальшому розвитку технологій зберігання даних.