Western Digital представила память для смартфонов с 5G

WDC_EU521

Western Digital представила встроенную память (UFS), которая позволит улучшить работу смартфонов с поддержкой сетей 5G. Носитель iNAND использует технологии 96-слойного 3D NAND и интерфейс UFS.

WD iNAND MC EU521 позволяет разработчикам мобильных устройств в использовать преимущества пропускной способности интерфейса UFS 3.1 (линии Gear 4/2), а также кэширования NAND SLC (одноуровневая ячейка).

Встроенный флэш-накопитель предлагает скорость записи до 800 МБ/с, что улучшает загрузку 4K и 8K, игр, а также передачу больших файлов из облака. INAND EU521 будет доступен в марте емкостью 128 и 256 ГБ.


Не пропустите интересное!

Підписывайтесь на наши каналы и читайте анонсы хай-тек новостей, тестов и обзоров в удобном формате!

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *





Статьи & тестыArticles

Обзор смартфона Oppo A6 Pro: амбициозный Oppo A6 Pro (CPH2799)

Новый смартфон Oppo A6 Pro — телефон среднего уровня с функциональностью смартфонов премиум-класса. Производитель наделил его множеством характеристик, присущих более дорогим телефонам. Но не обошлось и без компромиссов. Как именно сбалансирован Oppo A6 Pro – расскажем в обзоре.


Обзор геймплея GTA VI — новая эпоха gta vi

GTA VI вновь выглядит не как очередное продолжение серии, а как успешное расширение рамок современной игровой индустрии. Rockstar вновь создала новый стандарт для open-world игр


НовостиNews
| 13.18
Minisforum MS-S1 MAX-P495: 16 ядер, 192 ГБ памяти и локальный запуск LLM

Minisforum представила на IFA 2026 компактную рабочую станцию MS-S1 MAX-P495 с 192 ГБ объединенной памяти и AMD Ryzen AI Max+ PRO 495.

| 10.03
Xbox добрался до TCL: играть в облачные игры можно будет без консоли

Microsoft официально анонсировала партнерство с TCL для запуска облачного сервиса Xbox на смарт-телевизорах.