Western Digital представила память для смартфонов с 5G
18.02.20
Western Digital представила встроенную память (UFS), которая позволит улучшить работу смартфонов с поддержкой сетей 5G. Носитель iNAND использует технологии 96-слойного 3D NAND и интерфейс UFS.
WD iNAND MC EU521 позволяет разработчикам мобильных устройств в использовать преимущества пропускной способности интерфейса UFS 3.1 (линии Gear 4/2), а также кэширования NAND SLC (одноуровневая ячейка).
Встроенный флэш-накопитель предлагает скорость записи до 800 МБ/с, что улучшает загрузку 4K и 8K, игр, а также передачу больших файлов из облака. INAND EU521 будет доступен в марте емкостью 128 и 256 ГБ.
Не пропустите интересное!
Підписывайтесь на наши каналы и читайте анонсы хай-тек новостей, тестов и обзоров в удобном формате!
Ugreen Uno RG Gan – зарядка 100 Вт с улыбкой
0 
Мне нравится, как оно заряжается, быстро, не сильно греется, еще и улыбается. Вероятно, такая ситуация была в голове у сотрудников компании Ugreen когда они разрабатывали новую модель Ган-зарядки.
Контроллер Razer Kishi V3 Pro XL с поддержкой вибрации рассчитан на планшеты Razer контроллер
Razer Kishi V3 Pro XL подключается через USB-C и состоит из двух частей, которые адаптируются под размеры конкретного устройства
Skoda Enyaq RS Race — электрический спорт-кар облегченный на 300 кг автомобиль концепт спорт электротранспорт
Концепт-кар Skoda Enyaq RS Race отличается большим использованием биокомпозитных деталей из льняных волокон