Western Digital представила память для смартфонов с 5G
18.02.20
Western Digital представила встроенную память (UFS), которая позволит улучшить работу смартфонов с поддержкой сетей 5G. Носитель iNAND использует технологии 96-слойного 3D NAND и интерфейс UFS.
WD iNAND MC EU521 позволяет разработчикам мобильных устройств в использовать преимущества пропускной способности интерфейса UFS 3.1 (линии Gear 4/2), а также кэширования NAND SLC (одноуровневая ячейка).
Встроенный флэш-накопитель предлагает скорость записи до 800 МБ/с, что улучшает загрузку 4K и 8K, игр, а также передачу больших файлов из облака. INAND EU521 будет доступен в марте емкостью 128 и 256 ГБ.
вологість:
тиск:
вітер:
Достоинства материнских плат MSI
Сердцем компьютера считается процессор, однако без добротной материнки он теряет свою ценность. Системная плата выполняет объединяющую функцию и корректное функционирование основных компьютерных комплектующих и периферии
Qualcomm S3 Gen 3 и S5 Gen 3 — новые аудио-платформы для мобильных устройств
Qualcomm аудиоПлатформа Qualcomm S3 Gen 3 также предлагает инновации, ранее доступные только в устройствах премиум-класса, включая поддержку программы Qualcomm Voice & Music Extension
Смартфон OnePlus Ace 3V с OLED-дисплеем 120 Гц, чипом Snapdragon 7+ Gen 3, зарядкой 100 Вт стоит $277
Android OnePlus Qualcomm смартфонOnePlus Ace 3V работает на новом процессоре Qualcomm Snapdragon 7+ Gen 3, став первым смартфоном на рынке с таким чипсетом