Samsung представила новую линейку потребительских SSD 850 EVO c 3-битными чипами флеш-памяти V-NAND

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в сфере производства чипов памяти, представила новую линейку твердотельных накопителей 850 EVO, которая пополнила существующий модельный ряд SSD компании. Накопители, которые созданы на базе технологии флеш-памяти 3D Vertical NAND с 3-битными ячейками, обеспечивают значительный прирост производительности и износостойкости по сравнению с предыдущим поколением, и потому идеально подходят для использования в обычных персональных компьютерах. Новые SSD 850 EVO, вышедшие под девизом «Новый уровень производительности и износостойкости», поступят в продажу в 53 странах мира, включая США, Европу и Азию, начиная с декабря 2014 года.

«Мы необычайно рады представить пользователям новую серию твердотельных накопителей 850 EVO, – говорит Юнсу Ким (Unsoo Kim), старший вице-президент департамента продуктового бренд-маркетинга компании Samsung Electronics. – Компания Samsung планирует представить на рынок множество новых моделей SSD на базе технологии V-NAND в разных форм-факторов, что позволит ускорить развитие мирового рынка твердотельных накопителей».

В отличие от  моделей 850 Pro для высокопроизводительных клиентских ПК и малых и средних корпоративных серверов, в которых используется флеш-память 3D Vertical NAND с 2-битными ячейками, в новых твердотельных накопителях 850 EVO используется память стандарта 3D V-NAND с 3-битными ячейками. Это делает их наиболее подходящими для использования в обычных потребительских устройствах, таких как ноутбук или игровой ПК. Выход новых накопителей 850 EVO стал новым витком цикла в создании самых современных SSD для конечного пользователя, созданных на базе технологии V-NAND.

Накопители Samsung 850 Evo будут поставляться в четырех вариантах объема памяти: 1 ТБ, 500 ГБ, 250 ГБ и 120 ГБ. Новинки имеют следующие показатели производительности: 540 МБ/с в режиме последовательного чтения и 520 МБ/с в режиме записи. Благодаря наличию технологии Samsung TurboWrite, модель 850 EVO с объемом памяти 1 ТБ демонстрирует производительность при произвольной записи 90 тыс IOPS, что позволяет быстро сохранять большие объемы данных. Кроме того, накопители отличаются высокой надежностью, к примеру в моделях с объемом памяти 500 ГБ и 1 ТБ рассчитаны на 80 ГБ перезаписи ежедневно (DWPD) в течение пяти лет.

В следующем году Samsung планирует представить расширенную линейку SSD 850 EVO на базе 3-битной технологии V-NAND в форм-факторах mSATA и M.2. Также Samsung ожидает, что выход твердотельных накопителей серии 850 EVO положительно повлияет на развитие рынка высокоемких SSD, удовлетворив потребность в SSD с объемом памяти более 500 ГБ.

Больше информации можно узнать на сайте: www.samsung.com/850evo.