Kioxia, ранее Toshiba, запустит новый бренд SSD

Kioxia SSD

 

Kioxia (ранее — Toshiba Memory) планирует расширить своё присутствие на рынке потребительских твердотельных накопителей, увеличив поставки продукции после запуска нового бренда на базе объединённых производственных мощностей.

 

Новый бренд будет запущен после внутренней интеграции производственных мощностей по выпуску SSD в Kioxia, включая мощности OCZ Storage Solutions, приобретённые в 2013 году. Kioxia планирует добавить к ним мощности по выпуску SSD, которые она приобретёт у Lite-On Technology.

 

Сделка по покупке активов Lite-On может включать передачу Kioxia производства накопителей серии Plextor, которое тоже будет интегрирована в новое подразделение по выпуску твердотельных накопителей японской компании.


Не пропустите интересное!

Підписывайтесь на наши каналы и читайте анонсы хай-тек новостей, тестов и обзоров в удобном формате!

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *





Статьи & тестыArticles

Обзор смартфона Oppo A6 Pro: амбициозный Oppo A6 Pro (CPH2799)

Новый смартфон Oppo A6 Pro — телефон среднего уровня с функциональностью смартфонов премиум-класса. Производитель наделил его множеством характеристик, присущих более дорогим телефонам. Но не обошлось и без компромиссов. Как именно сбалансирован Oppo A6 Pro – расскажем в обзоре.


Обзор ноутбука Acer Nitro Lite 16 (NL16-71G): универсальный и симпатичный Acer Nitro Lite 16 (NL16-71G)

Acer Nitro Lite 16 2025 модельного года получила интересный дизайн корпуса, геймерские акценты и проверенные компоненты. Расскажем про его возможности подробнее


НовостиNews
| 12.03
Представлены смартфоны Nothing Phone (4a) и Nothing Phone (4a) Pro. Подробности  
Nothing Phone (4a) cameras

Nothing представила два новых смартфона среднего класса — Nothing Phone (4a) и Nothing Phone (4a) Pro.

| 09.18
Концепт суперкара Xiaomi Vision Gran Turismo показан на MWC 2026    
Xiaomi Vision Gran Turismo

Концепт суперкара Xiaomi Vision Gran Turismo построен на платформе с архитектурой 900V на основе карбида кремния (SiC)