В Imec представили технологию двойной плотности транзисторов

В нашем случае — это инженерный образец" width="585" height="416" srcset="https://hi-tech.ua/wp-content/uploads/2015/11/Intel-Core-i7-6700K-intel-confidential.jpg 585w, https://hi-tech.ua/wp-content/uploads/2015/11/Intel-Core-i7-6700K-intel-confidential-205x146.jpg 205w, https://hi-tech.ua/wp-content/uploads/2015/11/Intel-Core-i7-6700K-intel-confidential-300x213.jpg 300w" sizes="(max-width: 585px) 100vw, 585px" />

Проблему невозможности наращивания количества транзисторов для увеличения производительности процессоров, кажется. смогли решить в Imec. Разработчики центра рассказали о найденной серии технологических цепочек, которая позволит выпускать комплиментарные пары полевых транзисторов с использованием технологических норм менее 3 нм (complementary FET, CFET).

Процесс производства CFET по энергоэффективности и производительности транзисторов может в итоге превзойти техпроцесс FinFET применительно к технологическим нормам 3 нм. Более того, техпроцесс CFET открывает возможность уменьшить на 50 % размеры как стандартных (цифровых) ячеек, так и ячеек памяти SRAM.

Разработчики Imec внесли смелое предложение создавать на кристалле комплиментарные транзисторы не рядом, а друг над другом. В предложенной Imec цепочке операций по обработке кремниевой пластины полевой транзистор n-типа (nFET) располагается над полевым транзистором p-типа (pFET).

Отдельный большой плюс данной конструкции в том, что она создаётся в обычном техпроцессе, как для выпуска транзисторов FinFET. Анализ конструкции с помощью TCAD-инструментов доказывает, что производительность и потребление CFET, выпущенных с использованием 3-нм техпроцесса, превзойдёт показатели транзисторов FinFET в лучшую сторону.

Тем не менее, есть и проблема, с которой ещё придётся разобраться — это высокое сопротивление участка подключения истока к верхнему nFET-транзистору. Данную проблему можно решить, например, за счёт использования рутения в качестве проводника.

Разработку Imec уже поддержали партнёры по программе разработки: GlobalFoundries, Huawei, Intel, Micron, Qualcomm, Samsung, SK Hynix, Sony Semiconductor Solutions, TOSHIBA Memory, TSMC и Western Digital.

Imec — международный микро- и наноэлектронный научно-исследовательский центр в Лёвене (Бельгия) с филиалами в Нидерландах, на Тайване, в Китае, Индии, США и Японии. imec исследует возможности создания новых поколений микро- и наноэлектронных приборов, которые будут массово производиться через 3-10 лет.