Прототип устройства будет показан в ходе конференции Flash Memory Summit 2015, которая пройдёт с 11 по 13 августа в Санта-Кларе (США). Все полупроводниковые кристаллы объединены в одном корпусе и для связи используют так называемые вертикальные электроды. Это обеспечивает высокую скорость передачи данных, а также снижает потребляемую мощность. Благодаря технологии Toshiba TSV скорость ввода-вывода данных достигает 1 Гбит/с, что намного выше по сравнению с микросхемами NAND с таким же низким напряжением питания. На основные чипы подаётся напряжение 1,8 В, а схемы ввода-вывода используют питание 1,2 В. По сравнению с традиционными решениями, новинки характеризуются на 50 % меньшей потребляемой мощностью в операциях чтения и записи данных.

Новая память может найти применение в приложениях, в которых предъявляются высокие требования к задержкам, пропускной способности памяти и энергоэффективности. В частности, такие чипы подходят для корпоративных SSD класса High-End.