Samsung представил датчик изображения BSI CMOS формата APS-C

Компания Samsung Electronics представила новый датчик изображения S5KVB2 для цифровых камер типа CMOS с обратной засветкой (BSI), имеющий формат APS-C с разрешением 28 Мп. Датчик изображения модели S5KVB2, который в настоящий момент запущен в массовое производство, был разработан для передовой системной компактной камеры Samsung NX1, продемонстрированной в рамках выставки Photokina 2014 в Кельне (Германия).

Используя передовые технологии обратной засветки пикселя (BSI), датчик изображения S5KVB2 обеспечивает превосходное поглощение света. Датчик создан из меди на базе 65-нм техпроцесса по тонкой технологии проектирования. S5KVB2 соответствует высоким требованиям к энергосбережению и обеспечивает бесшумный процесс съемки высочайшего качества, что идеально подходит для системных компактных камер hi—end сегмента.

«Для удовлетворения растущего рыночного спроса на датчики изображения высшего класса для цифровых камер, Samsung представил свой новый датчик S5KVB2, который гарантирует высокое разрешение, высочайшее качество изображения, неимоверную скорость съемки и все это при низком энергопотреблении, – рассказывает Кюшик Хонг (Kyushik Hong), вице-президент по маркетингу подразделения LSI-систем компании Samsung Electronics. – Samsung продолжит создавать новые тренды на рынке датчиков изображений, благодаря своим передовым разработкам в том числе технологии CMOS».

S5KVB2 – это первый в индустрии датчик формата формат APS-C, который оптимально адаптирован под технологию обратной засветки пикселя (BSI). Для датчиков с обратной засветкой характерно размещение слоев металлизации под фотодиодами, что позволяет уменьшить потери света. За счет применения BSI пикселей, новый датчик изображения Samsung повышает светочувствительность каждого пикселя и увеличивает поглощение света периферийными участками примерно на 30%. В результате изображения становятся более четкими по по сравнению с изображениями, полученными с помощью датчика с фронтальной засветкой (FSI).

За счет изменения положения фотодиодов расположение металлических слоев датчика лучше оптимизировано для ускорения непрерывной съемки. В результате, S5KVB2 обеспечивает запись видео в UHD-разрешении со скоростью 30 кадров в секунду.

Датчик изображения S5KVB2 выполнен из меди с использованием 65-нанометрового техпроцесса, что обеспечивает ему важное преимущество над датчиками для камер, которые изготавливаются по 180-нанометровому техпроцессу с алюминиевыми проводниками. Благодаря 65-нанометровому техпроцессу с использованием меди значительно снижается расход энергии по сравнению с датчиками прошлого поколения. В результате, датчик изображения S5KVB2 отличается гораздо меньшими тепловыми выбросами.

Кроме того, благодаря использованию самого передового процесса изготовления и дизайну, напоминающему интегральную схему, датчик изображения S5KVB2 способен значительно снижать случайные шумы.