Исследователи, работающие в институте SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), объявили об открытии нового материала — аморфного нитрида бора (a-BN). Открытие сделано в сотрудничестве со специалистами Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета. Как утверждается, оно может ускорить появление полупроводниковых изделий следующего поколения.

 

В последнее время SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов из одного слоя атомов, включая графен. Исследователи разработали новый графеновый транзистор и новый метод производства монокристаллических пластин большой площади.

 

Хотя аморфный нитрид бора получают из белого графена, который включает атомы бора и азота, расположенные в гексагональной структуре, аморфная молекулярная структура a-BN придает ему уникальное отличие.

 

Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78. Благодаря подходящим электрическим и механическим свойствам этот материал может использоваться в качестве изолирующего материала, сводящего к минимуму электрические помехи.

 

Также было продемонстрировано, что материал можно выращивать на пластинах при сравнительно низкой температуре 400°C. Ожидается, что аморфный нитрид бора будет широко применяться в полупроводниковой продукции, такой как память DRAM и NAND, особенно в решениях следующего поколения для серверов.