Исследователи, работающие в институте SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), объявили об открытии нового материала — аморфного нитрида бора (a-BN). Открытие сделано в сотрудничестве со специалистами Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета. Как утверждается, оно может ускорить появление полупроводниковых изделий следующего поколения.

В последнее время SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов из одного слоя атомов, включая графен. Исследователи разработали новый графеновый транзистор и новый метод производства монокристаллических пластин большой площади.

Хотя аморфный нитрид бора получают из белого графена, который включает атомы бора и азота, расположенные в гексагональной структуре, аморфная молекулярная структура a-BN придает ему уникальное отличие.

Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78. Благодаря подходящим электрическим и механическим свойствам этот материал может использоваться в качестве изолирующего материала, сводящего к минимуму электрические помехи.

Также было продемонстрировано, что материал можно выращивать на пластинах при сравнительно низкой температуре 400°C. Ожидается, что аморфный нитрид бора будет широко применяться в полупроводниковой продукции, такой как память DRAM и NAND, особенно в решениях следующего поколения для серверов.

Читайте также

Samsung и SK Telekom построят в Южной Корее сеть для Интернета вещей

Рендеры Samsung Galaxy Note 7 в трёх цветах появились в сети

Samsung начнёт продавать восстановленные флагманские смартфоны

Главные новости hi-Tech прошедшей недели 28 августа 2016