Samsung начала поставки образцов передовой памяти HBM4E с повышенной скоростью и емкостью

Компания Samsung сделала важный шаг вперед в сегменте полупроводников и официально приступила к поставкам образцов высокопроизводительной оперативной памяти нового поколения HBM4E. Этот запуск последовал вскоре за стартом отгрузок памяти стандартного поколения HBM4 в феврале этого года. Новый формат чипов предлагает клиентам существенный прирост емкости и более высокую пропускную способность, при этом память нагревается гораздо слабее прежних вариантов.

Что представляет собой новая память Samsung HBM4E

Поставив перед собой амбициозную цель отгрузить чипы до конца текущего года, Samsung уложилась в установленные сроки. Модификация HBM4E позиционируется как сверхбыстрое решение, разработанное в ответ на быстро растущий спрос со стороны платформ и систем искусственного интеллекта. За счет оптимизированной компоновки и перехода на новую шину данная память способна заметно форсировать производительность ИИ-вычислений.

Технические характеристики и особенности конструкции HBM4E

При производстве микросхем HBM4E корейский гигант применил сложную гибридную компоновку. Технология объединяет шестое поколение сверхсовременных кристаллов памяти «1c» (относящихся к классу 10 нм) и базовую управляющую подложку (logic base die), произведенную по передовому технологическому процессу 4 нм. За счет этого решения разработчики Samsung перепроектировали схему соединений и добились значительных успехов:

• Повышение энергоэффективности: Общая потребляемая мощность памяти снижена на 16%. Благодаря уменьшению энергопотребления компоненты выделяют ощутимо меньше тепла при активной нагрузке.
• Эффективность охлаждения: Термическое сопротивление готового стека было снижено как минимум на 14%, что значительно упрощает задачу теплоотвода. Подобные теплофизические показатели делают сборку оптимальной для использования в компактных серверах с высокой плотностью размещения узлов.

Различия в объемах и скоростных версиях памяти

Текущая базовая версия HBM4E сохранила физический форм-фактор своей предшественницы (12-слойную конфигурацию), однако инженеры сумели принципиально улучшить ее эксплуатационные параметры:

• Сравнение объема: Стандартный модуль памяти HBM4 при 12-слойной компоновке дает совокупную емкость в 36 ГБ. Архитектура новой памяти HBM4E при таком же количестве слоев расширяет объем до 48 ГБ, что означает увеличение рабочей емкости на рекордные 33%.
• Дополнительные конфигурации: Помимо базовой модели, разработчики Samsung также активно проектируют 8-слойные варианты на 32 ГБ, а также сверхъемкие 16-слойные версии суммарным объемом 64 ГБ. Это обеспечит производителям железа гибкий набор инструментов при масштабировании аппаратных AI-платформ.
• Рост быстродействия: По скорости работы шины интерфейса память HBM4E опережает HBM4 приблизительно на 20%. Скорость передачи на один физический контакт здесь достигает уровня 14 Гбит/с, выдавая результирующую совокупную скорость в 3.6 ТБ/с на один стек. Прежняя линейка HBM4, напротив, передает данные с показателем 11.7 Гбит/с на один контакт при общей пропускной способности те же 3.6 ТБ/с на стек.

Текущий статус производства и перспективы разработки

Массовое производство оригинальной спецификации HBM4 со слов компании уже налажено, и планомерный переход к фазе тестирования и отгрузки новой улучшенной спецификации HBM4E придаст сектору дополнительное ускорение. К тому же заложенный в новейшую платформу конструктивный потенциал достаточно глубок. Напряжение шины питания и свойства каналов рассчитаны на то, что базовая отметка быстродействия чипов памяти 14 Гбит/с в скором будущем может быть планово масштабирована до 16 Гбит/с без радикального перестроения конвейеров производства.

«Вслед за развертыванием массового выпуска чипов линейки HBM4 компания Samsung вновь подтвердила свое прочное технологическое преимущество разработкой модификации HBM4E. Благодаря нашим передовым производственным возможностям и превентивным инвестициям в сопутствующую инфраструктуру мы продолжим определять векторы роста на глобальном рынке памяти для систем ИИ», — поделился Сан Джун Хван (Sang Joon Hwang), занимающий пост исполнительного вице-президента и руководителя направления разработки блоков оперативной памяти в компании Samsung Electronics.