Samsung почала постачання зразків передової пам’яті HBM4E з підвищеною швидкістю та ємністю

Компанія Samsung зробила важливий крок уперед у сегменті напівпровідників і офіційно розпочала постачання зразків високопродуктивної оперативної пам’яті нового покоління HBM4E. Цей запуск відбувся незабаром після старту відвантажень пам’яті стандартного покоління HBM4 у лютому цього року. Новий формат чіпів пропонує клієнтам суттєвий приріст ємності і більш високу пропускну здатність, при цьому пам’ять нагрівається набагато слабше за колишні варіанти.

Що являє собою нову пам’ять Samsung HBM4E

Поставивши перед собою амбітну мету відвантажити чіпи до кінця поточного року, Samsung уклалася у встановлені терміни. Модифікація HBM4E позиціонується як надшвидке рішення, розроблене у відповідь на попит, що швидко зростає, з боку платформ і систем штучного інтелекту. За рахунок оптимізованого компонування та переходу на нову шину дана пам’ять здатна помітно форсувати продуктивність ІІ-обчислень.

Технічні характеристики та особливості конструкції HBM4E

При виробництві мікросхем HBM4E корейський гігант застосував складне гібридне компонування. Технологія поєднує шосте покоління надсучасних кристалів пам’яті “1c” (що відносяться до класу 10 нм) і базову підкладку, що управляє (logic base die), вироблену за передовим технологічним процесом 4 нм. За рахунок цього рішення розробники Samsung перепроектували схему з’єднань і досягли значних успіхів:

• Підвищення енергоефективності: Загальна споживана потужність пам’яті знижена на 16%. Завдяки зменшенню енергоспоживання компоненти виділяють значно менше тепла при активному навантаженні.
• Ефективність охолодження: Термічний опір готового стеку було знижено як мінімум на 14%, що значно спрощує завдання тепловідведення. Подібні теплофізичні показники роблять збирання оптимальним для використання в компактних серверах з високою щільністю розміщення вузлів.

Відмінності в обсягах та швидкісних версіях пам’яті

Поточна базова версія HBM4E зберегла фізичний форм-фактор своєї попередниці (12-шарову конфігурацію), проте інженери зуміли принципово покращити її експлуатаційні параметри:

• Порівняння об’єму: Стандартний модуль пам’яті HBM4 при 12-шаровій компонуванні дає сукупну ємність 36 ГБ. Архітектура нової пам’яті HBM4E при такій кількості шарів розширює об’єм до 48 ГБ, що означає збільшення робочої ємності на рекордні 33%.
• Додаткові конфігурації: Крім базової моделі, розробники Samsung також активно проектують 8-шарові варіанти на 32 ГБ, а також надйомкі 16-шарові версії сумарним об’ємом 64 ГБ. Це забезпечить виробникам заліза гнучкий набір інструментів при масштабуванні апаратних AI-платформ.
• Зростання швидкодії: За швидкістю роботи шини інтерфейсу пам’ять HBM4E випереджає HBM4 приблизно на 20%. Швидкість передачі на один фізичний контакт тут досягає рівня 14 Гбіт/с, видаючи результуючу сукупну швидкість 3.6 ТБ/с на один стек. Колишня лінійка HBM4, навпаки, передає дані з показником 11.7 Гбіт/с на один контакт за загальної пропускної здатності ті ж 3.6 ТБ/с на стек.

Поточний статус виробництва та перспективи розробки

Масове виробництво оригінальної специфікації HBM4 зі слів компанії вже налагоджено, і планомірний перехід до фази тестування та відвантаження нової покращеної специфікації HBM4E надасть сектору додаткового прискорення. До того ж закладений у нову платформу конструктивний потенціал досить глибокий. Напруга шини живлення та властивості каналів розраховані на те, що базова позначка швидкодії чіпів пам’яті 14 Гбіт/с незабаром може бути планово масштабована до 16 Гбіт/с без радикального перебудови конвеєрів виробництва.

“Слідом за розгортанням масового випуску чіпів лінійки HBM4 компанія Samsung знову підтвердила свою міцну технологічну перевагу розробкою модифікації HBM4E. Завдяки нашим передовим виробничим можливостям та превентивним інвестиціям у супутню інфраструктуру ми продовжимо визначати вектори зростання на глобальному ринку пам’яті для систем ІІ” Hwang), який обіймає посаду виконавчого віце-президента та керівника напрямку розробки блоків оперативної пам’яті в компанії Samsung Electronics.