Комитет JEDEC сообщил о публикации обновлённого стандарта памяти с высокой пропускной способностью (HBM) — стали доступны чистовые спецификации стандарта HBM3.

Главным изменением по сравнению с HBM прошлого поколения стало увеличение скорости обмена по каждому контакту шины данных с 3,2 Гбит/с до 6,4 Гбит/с. Для высокоёмких вычислений, включая обработку графики, это станет новым прорывом в будущее.

С учётом вдвое возросшей скорости обмена по одному контакту, общая скорость на один модуль памяти HBM3 (на стек) будет достигать 819 Гбайт/с. Более того, это не предел возможностей HBM3. Современные решения сигнальных интерфейсов вполне допускают выход за рамки 1 Тбайт/с для памяти HBM3. Массовыми такие решения вряд ли станут, но и Samsung, и SK Hynix готовы выпускать память HBM3 со скоростью обмена выше, чем предусмотрено стандартом JEDEC.

Количество каналов памяти также удвоено с 8 до 16, благодаря двум псевдоканалам на каждый канал. Более того, за счёт организации виртуальных каналов общее число каналов работы с памятью может быть увеличено до 32.

На момент публикации стандарта высота стеков HBM3 допускает выпуск памяти из 4, 8 и 12 слоёв. В будущем будет возможно производство модулей HBM3 из 16 слоёв памяти в стеке. На каждый слой допускается кристалл памяти ёмкостью от 8 до 32 Гбит (1–4 ГБ). Тем самым минимальная ёмкость одного стека HBM3 составит 4 ГБ, а максимальная — 48 ГБ (в будущем 64 ГБ).

Рабочее напряжение памяти HBM3 снижено до 1,1 В, как и уменьшено сигнальное напряжение на интерфейсе хоста (до 0,4 В). Это означает, что энергоэффективность работы памяти HBM3 будет выше, чем у памяти HBM2 при прочих выгодах, включая в два раза возросшую скорость передачи данных.