В Samsung создан твердотельный накопитель ёмкостью 32 Тбайт
11.08.16
Компания Samsung Electronics на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) продемонстрировала твердотельный накопитель вместимостью 32 Тбайт.
Сообщается, что устройство хранения данных выполнено на основе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвёртого поколения. Технология V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади.
В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. 
В сумме они дают указанную ёмкость в 32 Тбайт.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS). Устройство рассчитано на использование в оборудовании корпоративного класса.
Массовое производство новинки планируется организовать в следующем году. Информации об ориентировочной цене пока нет.
вологість:
тиск:
вітер:
Перші враження редакції: представлені смартфони Samsung Galaxy S23, S23+ та S23 Ultra наживо
207 
0
Samsung провела презентацію нового покоління флагманських смартфонів Galaxy S23. Редакція сайту hi-Tech.ua отримала можливість познайомитись з новинками наживо.
Google створила нейромережу MusicLM, яка пише музику за текстовим описом
Google розробка штучний інтеллект
Google розробила нову нейромережу MusicLM, яка генерує музику за текстовим описом, причому в будь-якому жанрі.
Сталі відомі ціни Samsung Galaxy S23, Galaxy S23+ і Galaxy S23 Ultra в Україні
Samsung под події в Україні смартфон
Samsung представила свою нову флагманську лінійку смартфонів, до якої увійшли три моделі: Galaxy S23, Galaxy S23+ і Galaxy S23 Ultra. Вони вже доступні для попереднього замовлення з отриманням певних бонусів.