В Samsung создан твердотельный накопитель ёмкостью 32 Тбайт
11.08.16
Компания Samsung Electronics на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) продемонстрировала твердотельный накопитель вместимостью 32 Тбайт.

Сообщается, что устройство хранения данных выполнено на основе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвёртого поколения. Технология V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади.
В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. В сумме они дают указанную ёмкость в 32 Тбайт.

Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS). Устройство рассчитано на использование в оборудовании корпоративного класса.
Массовое производство новинки планируется организовать в следующем году. Информации об ориентировочной цене пока нет.

влажность:
давление:
ветер:

Обзор проектора XGIMI Halo: успешная премьера



Рынок проекторов продолжает активно развиваться, особенно в сегменте домашних и портативных устройств. Сегодня расскажем про лазерный проектор XGIMI Halo, который имеет качественную оптику и поддержку HDR

Transcend представила кард-ридер RDE2 CFexpress Type B и карту памяти CFexpress 820 Type B
Transcend карта памятиTranscend представила новый кард-ридер RDE2 CFexpress Type B и карту памяти CFexpress 820 Type B для рынка профессиональной фотографии
Представлена мышка Razer Naga X Gaming Mouse с 18 кнопками для MMO
Razer мышкаRazer представила игровую мышь Razer Naga X Gaming Mouse на корпусе которой в общей сложности есть 18 кнопок
