Samsung планирует анонсировать очередную самую быструю в мире память GDDR7 уже в феврале

Samsung GDDR7

Samsung Electronics представит микросхемы памяти GDDR7 на конференции IEEE Solid State Circuit Conference (SSCC), которая состоится в Сан-Франциско в следующем месяце. Этот стандарт памяти предназначен для использования в видеокартах или игровых консолях и обеспечивает более полуторакратного увеличения пропускной способности по сравнению с актуальными чипами GDDR6.

В частности, Samsung планирует представить широкой публике 16-гигабитные микросхемы GDDR7 со скоростью передачи данных 37 Гбит/с на контакт. Для достижения таких показателей в новом стандарте графической памяти будет использована амплитудно-импульсная модуляция PAM3 с тремя уровнями сигнала. Напомним, что в GDDR6X, совместной разработке Micron Technology и Nvidia, применена PAM4.

Ориентировочные сроки старта массового производства микросхем GDDR7 южнокорейского производителя чипов пока не разглашаются. Зарубежные эксперты предполагают, что новый стандарт памяти будет использоваться в видеокартах Nvidia GeForce RTX 50 серии (архитектура Blackwell) и AMD Radeon RX 8000 (RDNA 4).

Samsung GDDR7


Не пропустите интересное!

Підписывайтесь на наши каналы и читайте анонсы хай-тек новостей, тестов и обзоров в удобном формате!

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *





Статьи & тестыArticles

Обзор смартфона Oppo A6 Pro: амбициозный Oppo A6 Pro (CPH2799)

Новый смартфон Oppo A6 Pro — телефон среднего уровня с функциональностью смартфонов премиум-класса. Производитель наделил его множеством характеристик, присущих более дорогим телефонам. Но не обошлось и без компромиссов. Как именно сбалансирован Oppo A6 Pro – расскажем в обзоре.


Обзор смартфона Oppo Reno16 Pro 5G: обстоятельно Oppo Reno16 Pro 5G (CPH2863)

Oppo Reno16 Pro 5G выглядит сбалансированным смартфоном, в котором производитель постарался не делать единственную характеристику определяющей. Преимуществ у него много. Расскажем какие


НовостиNews
| 13.12
Прорыв в электронике: SiC-транзистор для экстремальных температур

Японские ученые разработали транзистор из карбида кремния, который эффективно работает при температуре 600 °C.

| 11.07
Samsung Galaxy S26 FE: все подробности перед премьерой, включая емкость батареи

Samsung готовится к анонсу Galaxy S26 FE, который запланирован на эту неделю. Сертификация Anatel подтвердила, что смартфон сохранит емкость аккумулятора своего предшественника и получит поддержку быстрой зарядки до 45 Вт.