Samsung Electronics представит микросхемы памяти GDDR7 на конференции IEEE Solid State Circuit Conference (SSCC), которая состоится в Сан-Франциско в следующем месяце. Этот стандарт памяти предназначен для использования в видеокартах или игровых консолях и обеспечивает более полуторакратного увеличения пропускной способности по сравнению с актуальными чипами GDDR6.

В частности, Samsung планирует представить широкой публике 16-гигабитные микросхемы GDDR7 со скоростью передачи данных 37 Гбит/с на контакт. Для достижения таких показателей в новом стандарте графической памяти будет использована амплитудно-импульсная модуляция PAM3 с тремя уровнями сигнала. Напомним, что в GDDR6X, совместной разработке Micron Technology и Nvidia, применена PAM4.

Ориентировочные сроки старта массового производства микросхем GDDR7 южнокорейского производителя чипов пока не разглашаются. Зарубежные эксперты предполагают, что новый стандарт памяти будет использоваться в видеокартах Nvidia GeForce RTX 50 серии (архитектура Blackwell) и AMD Radeon RX 8000 (RDNA 4).