Samsung начала серийный выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 для смартфонов
28.02.19
Компания Samsung начала массовое серийное производство микросхем флеш-памяти нового поколения eUFS 3.0.
По сравнению с предыдущим поколением (eUFS 2.1) новая памяти примерно в два раза быстрее. Скорость чтения может составлять 2100 МБ/с, а записи — 410 МБ/с.
В официальном пресс-релизе для дополнительного подчеркивания высокой производительности указывается, что по скорости чтения флеш-памяти eUFS 3.0 в 4 раза превосходит скорость SSD-дисков с интерфейсом SATA и оказывается в 20 раз быстрее по сравнению с картами памяти microSD.
Выпуск таких микросхем позволит компании получить хорошее преимущество на рынке компонентов для продвинутых смартфонов и других мобильных устройств нового поколения.
Чипы Samsung 512GB eUFS 3.0 «спрессованы» из 8 слоев 512-гигабитной памяти V-NAND и дополнены высокопроизводительным контроллером.
На данный момент микросхемы eUFS 3.0 выпускаются в вариантах с объемом 512 ГБ и 128 ГБ. Примерно ко второй половине 2019 года запланирован выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 объемом 1 ТБ и 256 ГБ.
К слову, память eUFS объемом 1 ТБ Samsung уже выпускает. Правда, такие микросхемы относятся к поколению eUFS 2.1. Об этом мы сообщали в январе 2019 года.
вологість:
тиск:
вітер:
Обзор универсального компрессора Baseus: качает
Универсальный компрессор Baseus интересен тем, что у него есть встроенный аккумулятор, датчик давления и хорошая сборка, за которую её девайсы с Алика и ценят. Расскажем подробнее
Google Chat запускает голосовые сообщения
Google мессенджер обновлениеПользователи смогут отправлять голосовые сообщения в Google Chat, просто касаясь иконки микрофона возле поля для текста и начиная запись.
Honor TiinLab Open-Back Buds получили Bluetooth 5.3, защиту IP54 и автономность до 40 часов
Bluetooth Honor наушникиНаушники Honor TiinLab Open-Back Buds отличаются открытым типом конструкции и поддерживают Bluetooth 5.3, а также кодеки AAC и SBC для передачи звука