Samsung Electronics запускает в производство первый в индустрии 12-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4
10.09.15Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства первых в индустрии 12-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 на базе 20-нанометрового технологического процесса.
Новый чип мобильной памяти является самым передовым решением на быстрорастущем рынке высокопроизводительных устройств мобильной DRAM-памяти. Samsung LPDDR3 емкостью 12 Гбит отличается улучшенной пропускной способностью и наивысшей скоростью работы, доступной на рынке чипов DRAM-памяти, что обеспечивает энергоэффективность, надежность и простоту дизайна – все необходимое для разработки мобильных устройств нового поколения.
«Инициируя производство 20-нм 12-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 в короткие строки, мы не только вносим свой вклад в развитие индустрии мобильных устройств нового поколения, но и представляем передовое решение для усовершенствованного опыта использования, – отметил Джу Сан Чой (Joo Sun Choi), исполнительный вице-президент подразделения Memory Sales & Marketing компании Samsung Electronics. – Мы стремимся работать в тесном сотрудничестве с пользователями со всего мира, чтобы выйти за пределы смартфонов и планшетов премиум-класса и создавать решения, которые отвечают всему потенциалу передовых технологий будущего, таких как следующее поколение мобильной DRAM-памяти».
Новый 20-нм 12-гигабитный LPDDR4 чип с 4,266 Мбит/с обеспечивает более 30% выше производительность по сравнению с 8-гигабитным LPDDR4 чипом. Новый чип также работает в два раза быстрее, чем DRAM DDR4 для ПК* и потребляет на 20 процентов меньше энергии. Кроме того, благодаря тому, что производительность 12-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 выросла более чем на 50% по сравнению с поколением 8-гигабитных LPDDR4 чипов класса 20-нм**, они будут использоваться в индустрии флагманских мобильных устройств.
12-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 позволяет использовать 3 ГБ или 6 ГБ мобильной DRAM-памяти в одном устройстве, используя всего 2 и 4 микросхемы соответственно. Таким образом, новый чип – единственное решение на рынке, которое предлагает 6 ГБ DRAM-памяти и поэтому позволит потребителям наслаждаться многозадачностью и максимальной производительностью в работе с последними версиями операционной системы. Отвечая запросам современной индустрии мобильных устройств, 6-гигабайтный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 занимает столько же места, что и 3-гигабайтный LPDDR4.
С выходом первого в индустрии 12-гигабитного чипа мобильной DRAM-памяти LPDDR4 компания Samsung усиливает конкурентоспособность линейки 20-нм DRAM чипов мобильной памяти (12 Гбит/ 8 Гбит/ 6 Гбит/ 4 Гбит), что, в дальнейшем, позволит укрепить позиции компании на рынке памяти для устройств премиум-класса.
Компания Samsung ожидает, что благодаря уникальным особенностям мобильной памяти LPDDR4 чипы будут в будущем использоваться и в ультратонких ПК, цифровой технике и автомобильных устройствах.
* Скорость производительности ПК DDR4 DRAM – pin × 2,133 Мбит/с.
** 20-нанометровый класс означает разброс в технологическом процессе приблизительно между 20-ю и 30-ю нанометрами.


Обзор меш-системы ASUS ZenWiFi AX (XT8): полное равновесие



Знакомимся с набором флагманской меш-системы ASUS ZenWiFi AX (XT8) – красивой, функциональной и с поддержкой новейших стандартов беспроводной связи

Электрокар Cupra Born построен на платформе VW ID.3, но получит более премиальный стиль
электрокарВ сети появилась информация об электрокаре Cupra Born, который построен на базе платформы VW ID.3
Флагманские смартфоны серии Samsung Galaxy S10 получили One UI 3.1 на базе Android 11
Android Galaxy Samsung обновлениеSamsung начала распространять обновление One UI 3.1 на на основе Android 11 для смартфонов серии Galaxy S10
