Samsung Electronics запускает в производство первый в индустрии 12-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4

Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства первых в индустрии 12-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 на базе 20-нанометрового технологического процесса.

Новый чип мобильной памяти является самым передовым решением на быстрорастущем рынке высокопроизводительных устройств мобильной DRAM-памяти. Samsung LPDDR3 емкостью 12 Гбит отличается улучшенной пропускной способностью и наивысшей скоростью работы, доступной на рынке чипов DRAM-памяти, что обеспечивает энергоэффективность, надежность и простоту дизайна – все необходимое для разработки мобильных устройств нового поколения.

«Инициируя производство 20-нм 12-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 в короткие строки, мы не только вносим свой вклад в развитие индустрии мобильных устройств нового поколения, но и представляем передовое решение для усовершенствованного опыта использования, – отметил Джу Сан Чой (Joo Sun Choi), исполнительный вице-президент подразделения Memory Sales & Marketing компании Samsung Electronics. – Мы стремимся работать в тесном сотрудничестве с пользователями со всего мира, чтобы выйти за пределы смартфонов и планшетов премиум-класса и создавать решения, которые отвечают всему потенциалу передовых технологий будущего, таких как следующее поколение мобильной DRAM-памяти».

Новый 20-нм 12-гигабитный LPDDR4 чип с 4,266 Мбит/с обеспечивает более 30% выше производительность по сравнению с 8-гигабитным LPDDR4 чипом. Новый чип также работает в два раза быстрее, чем DRAM DDR4 для ПК* и потребляет на 20 процентов меньше энергии. Кроме того, благодаря тому, что производительность 12-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 выросла более чем на 50% по сравнению с поколением 8-гигабитных LPDDR4 чипов класса 20-нм**, они будут использоваться в индустрии флагманских мобильных устройств.

12-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 позволяет использовать 3 ГБ или 6 ГБ мобильной DRAM-памяти в одном устройстве, используя всего 2 и 4 микросхемы соответственно. Таким образом, новый чип – единственное решение на рынке, которое предлагает 6 ГБ DRAM-памяти и поэтому позволит потребителям наслаждаться многозадачностью и максимальной производительностью в работе с последними версиями операционной системы. Отвечая запросам современной индустрии мобильных устройств, 6-гигабайтный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 занимает столько же места, что и 3-гигабайтный LPDDR4.

С выходом первого в индустрии 12-гигабитного чипа мобильной DRAM-памяти LPDDR4 компания Samsung усиливает конкурентоспособность линейки 20-нм DRAM чипов мобильной памяти (12 Гбит/ 8 Гбит/ 6 Гбит/ 4 Гбит), что, в дальнейшем, позволит укрепить позиции компании на рынке памяти для устройств премиум-класса.

Компания Samsung ожидает, что благодаря уникальным особенностям мобильной памяти LPDDR4 чипы будут в будущем использоваться и в ультратонких ПК, цифровой технике и автомобильных устройствах.

* Скорость производительности ПК DDR4 DRAM – pin × 2,133 Мбит/с.

** 20-нанометровый класс означает разброс в технологическом процессе приблизительно между 20-ю и 30-ю нанометрами.