Не останавливаясь в повышении планки производительности в одном из своих производств, компания Samsung Electronics анонсировала выпуск первого в отрасли мобильного модуля памяти типа LPDDR4, который имеет ёмкость 8 ГБ. Новая память имеет 64-разрядную шину, то есть пропускная способность новинки составляет более 34 ГБ/с.

 

Память выполнена по 10-нм технологии и рассчитана на использование в приложениях с высокими требованиями к подсистеме памяти. Например, представленная память найдёт применение во флагманских аппаратах с поддержкой VR-технологий, 4K-видео и двумя камерами. 8-ГБ модуль способен обеспечить производительность до 4266 Мбит/с на контакт, что в два раза выше по сравнению с типичными модулями DDR4-памяти для настольных ПК. Благодаря усовершенствованному техпроцессу новинка потребляет примерно столько же мощности, сколько и 4-ГБ чипы на базе техпроцесса 20-нм класса.