В апреле 2017 года SK Hynix представила память GDDR6 для видеокарт с объёмом чипа 8 Гбит с использованием 20-нм технологического процесса. Пропускная способность одного контакта составила 16 Гбит/с.

 

Устройства с кодами H56C8H24MJR-S2C и H56C8H24MJR-S0C обеспечивают скорость передачи данных 14 или 12 Гбит/с при напряжении соответственно 1,35 и 1,25 В. Скорость передачи данных чипов второй модификации может составлять 12 или 10 Гбит/с при напряжении 1,35 и 1,25 В.

 

Наиболее перспективными направлениями, где потенциал GDDR6 раскроется в полной мере, являются искусственный интеллект, виртуальная реальность, автопилотируемые автомобили и системы с дисплеями, разрешение которых превышает 4K.

 

На днях Samsung Electronics сообщила, что ее производства приступили к массовому выпуску первой в индустрии 16-ГБ памяти GDDR6.