Samsung начинает массовое производство 64-слойной V-NAND-памяти

Спрос на флеш-память в мире постоянно растет. Компания Samsung объявила о начале массового производства 64-слойных микросхем памяти V-NAND объемом 256 ГБ.

Предназначена такая память для использования в серверах, персональных ПК и мобильных устройствах.

С момента начала производства, в январе этого года, первого в индустрии SSD-диска, основанного на базе 64-слойной V-NAND-памяти, компания вела работу над накопителями для пользовательских ПК, мобильных устройств, использующих V-NAND. Это относится к впаиваемой UFS-памяти, брендированным SSD-дискам и внешним картам памяти, которые будут представлены позже в этом году.

Ожидается, что к концу года доля 64-слойного V-NAND будет составлять половину всего объема флеш-памяти, производимого компанией Samsung.

Производитель заявляет, что новая 64-слойная память V-NAND плотностью 256 ГБ на 30 % производительнее и на 30 % экономичнее по сравнению с 48-слойной памятью V-NAND с той же плотностью. Отмечается также возросшая надежность новых микросхем.