Магниторезистивная оперативная память (MRAM — magnetoresistive random-access memory) — запоминающее устройство с произвольным доступом на основе спиновых вентилей. Хранит информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов.

Для магниторезистивной памяти MRAM самым больным местом остаётся низкая плотность записи. Ячейки для хранения данных у MRAM довольно большие, а разработанная технология производства не позволяет сделать их меньше.

Ведущий и буквально единственный поставщик коммерческих микросхем STT-MRAM, компания Everspin, сообщила об успешном запуске пилотной линии по выпуску чипов STT-MRAM с вчетверо большей ёмкостью, чем до сих пор — 256-Мбит чипы с нормами 40 нм.

Новой продукцией стали 28-нм микросхемы STT-MRAM ёмкостью 1 Гбит. Пробные запуски новой пилотной линии, вероятно, на заводе GlobalFoundries, начались в конце прошлого года, а к массовому производству линии перейдут уже в третьем квартале.

Память STT-MRAM позволит выпускать SSD и кеширующие блоки для накопителей и интерфейсов с меньшими задержками и со значительно возросшей устойчивостью к износу. С учётом того, что производители выпускали твердотельные накопители даже на 256-Мбит памяти, наверняка можно рассчитывать увидеть больше моделей SSD на 1-Гбит чипах STT-MRAM Everspin. Для удобства перехода с NAND и DRAM (буферов) на память STT-MRAM микросхемы с магниторезистивной памятью оснащаются привычным 8-бит и 16-бит интерфейсом DDR4, совместимым со стандартом ST-DDR4 и в упаковке BGA.

Читайте также