Qualcomm заявляє, що встановила рекорд швидкості завантаження даних у мережі 5G – 7,5 Гбіт/с

Xiaomi 11 Lite 5G NE

В компанії Qualcomm заявили, що їм вдалося встановити новий світовий рекорд швидкості завантаження даних у мережі 5G, використовуючи частотний діапазон до 6 ГГц.

Компанія змогла досягти результату у 7,5 Гбіт/с. Для порівняння користувачі, підключені до мережі 5G середнього діапазону (C-band), зазвичай отримують швидкість завантаження даних 350-450 Мбіт/с.

Для досягнення результату Qualcomm використала свою систему Snapdragon X75 5G Modem-RF, анонсовану раніше цього року. Вона з’явиться у смартфонах, що вийдуть на ринок до кінця поточного року.

Також для досягнення рекордної швидкості застосовувалась смуга 300 МГц спектра автономної мережі 5G (SA). Багато сучасних мереж 5G є неавтономними, вони побудовані на базі ядра мереж LTE, щоб оператори могли швидко пропонувати 5G абонентам. Однак саме мережі SA підтримують всі функції 5G і забезпечують більшу пропускну здатність.

Крім того, під час встановлення рекорду використовувалася агрегація чотирьох носіїв. Ця технологія поєднує чотири окремих канали 5G для збільшення пропускної здатності та місткості. В результаті це також збільшує швидкість передачі даних по каналу завантаження.


Не пропустіть цікаве!

Підписуйтесь на наші канали та читайте анонси хай-тек новин, тестів та оглядів у зручному форматі!

Залишити відповідь

Ваша e-mail адреса не оприлюднюватиметься. Обов’язкові поля позначені *





Статті & тестиArticles

Огляд смартфона Oppo A6 Pro: амбітний Oppo A6 Pro (CPH2799)

Новий смартфон Oppo A6 Pro – середнячок з функціональністю смартфонів преміум-класу. Виробник наділив його кількома характеристиками, властивими більш дорожчим телефонам. Але не обійшлось і без компромісів. Як саме збалансований Oppo A6 Pro – розповімо в огляді.


Огляд смартфона Oppo Reno16 Pro 5G: багато всього Oppo Reno16 Pro 5G (CPH2863)

Oppo Reno16 Pro 5G виглядає збалансованим смартфоном, у якому виробник постарався не робити єдину характеристику визначальною. Переваг у нього багато. Розкажемо які


НовиниNews
| 13.12
Прорив в електроніці: SiC-транзистор для екстремальних температур

Японські вчені розробили транзистор із карбіду кремнію, який ефективно працює при температурі 600 °C.

| 11.07
Samsung Galaxy S26 FE: усі подробиці перед прем’єрою, включно з місткістю батареї

Samsung готується до анонсу Galaxy S26 FE, який заплановано на цей тиждень. Сертифікація Anatel підтвердила, що смартфон збереже місткість акумулятора свого попередника та отримає підтримку швидкої зарядки до 45 Вт.