Компании Intel и Micron 28 июля представили революционную технологию 3D XPoint. Эта технология создавалась с нуля и представляет собой энергонезависимую память, которая в 1000 раз быстрее NAND. За последние 25 лет это принципиально новый тип энергонезависимой памяти.

 

 

Многие знают от таком недостатке NAND-памяти, как ограниченное количество числа записей в ячейки. Так вот, новая память 3D XPoint в 1000 раз долговечнее NAND.

 

Время задержки в NAND-памяти измеряется десятками милисекунд, а время задержки 3D XPoint-памяти намного меньше и измеряется десятками наносекунд

 

Получается, что новая память 3D XPoint намного быстрее и надежнее, чем NAND. Она отлично подойдет для построения высокопроизводительных SSD-накопителей с принципиально новым уровнем характеристик.

 

 

А если сравнить 3D XPoint с памятью DRAM? Для начала надо отметить, что DRAM-память в отличие от 3D XPoint  энергозависимая. И 3D XPoint, и DRAM обеспечивают высокую производительность, но за счет технологических особенностей память 3D XPoint обладает в 10 раз более высокой плотностью размещения компонентов. При той же площади емкость памяти 3D XPoint будет в 10 раз выше, чем DRAM. Вдобавок, ячейки 3D XPoint не нуждаются в транзисторах, что в сочетании с высокой плотностью размещения компонентов делает память 3D XPoint намного более доступной по цене в сравнении с DRAM.

 

 

 

Объяснение технологии 3D XPoint на примере схематической модели:

 

Характеристики технологии 3D XPoint: крестообразная структура (высокие скорость и плотность), многослойность, использование селектора (чтение или запись в ячейках памяти осуществляются путем изменения значения напряжения, направляемого на каждый селектор. Это позволило отказаться от необходимости использования транзисторов), быстродействующие ячейки.

 

Некоторые поставки продукции заказчикам на базе технологии 3D XPoint начнутся уже в этом году. К слову, Intel и Micron работают и над собственной продукцией.